[实用新型]MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器有效
申请号: | 202021734842.7 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN213680876U | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 吕宝源 | 申请(专利权)人: | 吕宝源 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 陈延侨 |
地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | mocvd 固态 掺杂 金属 有机化合物 封装 容器 | ||
1.一种MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器,其特征在于,所述MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器应用于容置固体金属有机化合物,所述固体金属有机化合物为二茂镁,其包含:
瓶体,其内部具有容置空间,以容置所述固体金属有机化合物;
进气接口,设置于所述瓶体的顶部以由所述容置空间的顶部连通所述容置空间,且所述进气接口连接进气管,所述进气管连接载气源;以及
出气管,其一端由所述瓶体的顶部穿入所述容置空间中,且所述出气管的一端邻近于所述容置空间的底部,所述出气管的另一端连接金属有机化学气相沉积制程设备;
其中,所述瓶体的内径与所述容置空间的高度的比值小于或等于1:2.5。
2.如权利要求1所述MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器,其特征在于,更包含分隔板,设置于所述容置空间中,且邻近于所述容置空间的底部,以将所述容置空间区分别邻近所述容置空间的顶部的第一子容置空间及邻近于所述容置空间的底部的第二子容置空间,所述出气管的一端位于所述第二子容置空间中。
3.如权利要求2所述MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器,其特征在于,所述分隔板为多孔滤板。
4.如权利要求1所述MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器,其特征在于,所述瓶体的内径与所述容置空间的高度的比值为1:2.5。
5.如权利要求1所述MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器,其特征在于,所述进气接口为1/4的金属垫片面密封接头。
6.如权利要求5所述MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器,其特征在于,所述进气接口为1/4转接1/2的金属垫片面密封接头,再连接所述进气管。
7.如权利要求1所述MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器,其特征在于,所述进气接口也作为加料口使用。
8.如权利要求1所述MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器,其特征在于,所述瓶体的底部设有底座,所述底座的外形大于所述瓶体的外径。
9.如权利要求1所述MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器,其特征在于,所述容置空间的底部的截面形状为V字型结构或弧形结构,且所述出气管的一端邻近于所述容置空间的几何中心。
10.如权利要求1所述MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器,其特征在于,所述进气接口与所述出气管为斜向地穿入所述容置空间中,且加料口设置于所述瓶体的顶部的中心位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吕宝源,未经吕宝源许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021734842.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种铣削装置用定位机构
- 下一篇:一种智慧家居管理用安全设备
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的