[实用新型]晶片导通片组件及集成电路结构有效

专利信息
申请号: 202021734956.1 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN212434610U 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 陈秋讚;林孟辉 申请(专利权)人: 富鼎先进电子股份有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李旭;曹正建
地址: 中国台湾新竹县竹北市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶片 导通片 组件 集成电路 结构
【权利要求书】:

1.一种晶片导通片组件,用以连接于一晶片的一第一电极以及一第二电极,其特征在于,该晶片导通片组件包括:

一第一导通片,包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部,该第一电极连接部的相对二表面分别设有一第一突出区域以及一第一凹陷区域,该第一电极连接部具有相对的一第一侧以及一第二侧,该第一凹陷区域由该第一侧延伸至该第二侧,该第一突出区域用于接触该第一电极,而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧;以及

一第二导通片,与该第一导通片电性隔绝,该第二导通片包含一第二电极连接部以及一第二讯号传输部,该第二电极连接部的相对二表面分别设有一第二突出区域以及一第二凹陷区域,该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边,该第二凹陷区域由该第一侧边延伸至该第二侧边,该第二突出区域用于接触该第二电极,而该第二讯号传输部连接于该第一侧边。

2.如权利要求1所述的晶片导通片组件,其特征在于,该第一突出区域设有一第一突块,该第一突块的面积小于该第一突出区域,而该第一突块用于接触该第一电极。

3.如权利要求1所述的晶片导通片组件,其特征在于,该第二突出区域设有一第二突块,该第二突块的面积小于该第二突出区域,而该第二突块用于接触该第二电极。

4.一种集成电路结构,其特征在于,包含:

一晶片,设有一第一电极以及一第二电极;以及

一晶片导通片组件,该晶片导通片组件包含:

一第一导通片,包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部,该第一电极连接部的相对二表面分别设有一第一突出区域以及一第一凹陷区域,该第一电极连接部具有相对的一第一侧以及一第二侧,该第一凹陷区域由该第一侧延伸至该第二侧,该第一突出区域接触该第一电极,而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧;及

一第二导通片,与该第一导通片电性隔绝,该第二导通片包含一第二电极连接部以及一第二讯号传输部,该第二电极连接部的相对二表面分别设有一第二突出区域以及一第二凹陷区域,该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边,该第二凹陷区域由该第一侧边延伸至该第二侧边,该第二突出区域接触该第二电极,而该第二讯号传输部连接于该第一侧边。

5.如权利要求4所述的集成电路结构,其特征在于,该第一突出区域设有一第一突块,该第一突块的面积小于该第一突出区域,而该第一突块接触该第一电极。

6.如权利要求4所述的集成电路结构,其特征在于,该第二突出区域设有一第二突块,该第二突块的面积小于该第二突出区域,而该第二突块接触该第二电极。

7.如权利要求4所述的集成电路结构,其特征在于,该第一突出区域覆盖该第一电极的一部份,以及该第二突出区域覆盖该第二电极的一部份。

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