[实用新型]一种具有凹陷部的导电基材及其钙钛矿太阳能电池

说明书

本实用新型揭示了一种具有凹陷部的导电基材及其钙钛矿太阳能电池。所述钙钛矿太阳能电池包括导电基材和依次设置在导电基材上的钙钛矿层、空穴传输层和电极层，其中，所述导电基材包括透明导电层，所述透明导电层表面形成有离散分布的多个凹陷部，所述凹陷部的深度小于所述透明导电层的厚度。本实用新型提供的钙钛矿太阳能电池，通过对导电基材的表面进行刻蚀出凹陷部，增加钙钛矿与导电基材的接触面积，改善晶体质量，提高电子传输效率，提升器件电流和效率。

技术领域

本实用新型属于光伏组件制造技术领域，具体涉及一种具有凹陷部的导电基材及其钙钛矿太阳能电池。

背景技术

随着钙钛矿太阳能电池研究的深入，钙钛矿电池的效率迅速从3.8％提高到25.2％，大大促进了产业化进程。钙钛矿电池的效率得到了很大提升。钛矿太阳能电池一般包括依次层叠的导电基底、空穴/电子传输层、钙钛矿层、电子传输层/空穴传输层以及金属电极。目前提高钙钛矿电流的方式一般采用增加修饰层或者引入添加剂，或者改变溶液配方。此类方法受限于添加物的质量，工艺稳定性较差，且适用于特定钙钛矿电池结构，工艺可复制性较差。目前常用的钙钛矿结构为引入介孔层，如二氧化钛、氧化锌介孔层，但是工艺较为复杂，需要高温烧结形成介孔。

发明内容

本实用新型的主要目的在于提供一种具有点坑结构的导电基材及其钙钛矿太阳能电池，以克服现有技术中存在的不足。

为实现前述目的，本实用新型实施例采用的技术方案包括：

本实用新型实施例提供一种具有凹陷部的导电基材，其包括透明导电层，所述透明导电层表面形成有离散分布的多个凹陷部，所述凹陷部的深度小于所述透明导电层的厚度。

进一步地，所述凹陷部的深度为50-250纳米。

进一步地，所述凹陷部的分布密度为20-100纳米。

进一步地，所述凹陷部包括点坑和/或线槽结构。

进一步地，所述所述点坑结构的直径为20-50微米。

进一步地，所述线槽结构的宽度为20-50微米。

进一步地，所述透明导电层的厚度为650-700纳米。

本实用新型实施例还提供一种钙钛矿太阳能电池，包括导电基材和依次设置在导电基材上的钙钛矿层、空穴传输层和电极层；其中，所述导电基材包括前述的导电基材。

进一步地，所述钙钛矿层直接形成在所述导电基材上，且所述钙钛矿层的部分区域填充于所述导电基材表面的多个凹陷部内。

进一步地，在所述钙钛矿层与所述空穴传输层之间还设有钝化层。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

本实用新型通过刻蚀对导电基材进行处理，在导电基材表面形成类似介孔的点坑结构或线槽结构，增加钙钛矿比表面积，增加电荷导出界面，进而增加钙钛矿与导电基材的接触面积，改善晶体质量，提高电子传输效率，提升器件电流和效率，稳定性好，成本低廉，便于工业化生产；且只要含有导电基材的钙钛矿电池结构都适用，无论器件或者大面积的组件都适用，适用范围广。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一实施方式中具有点坑结构的导电基材的结构示意图。

图2是本申请一实施方式中具有点坑结构的导电基材中点坑结构的表面SEM扫描图。(扫描标尺20μ0，放大倍数8.5千倍)