[实用新型]一种多层像素补偿电路

权利要求书

1.一种多层像素补偿电路，其特征在于，包括：上层补偿电路、下层补偿电路以及连接所述上层补偿电路与下层补偿电路的多条上下层连接线，上层补偿电路与基板的间距大于下层补偿电路与基板的间距；所述上层补偿电路包括：多个薄膜晶体管T1和T2，电容C1，有机发光二极管；所述下层补偿电路包括：多个薄膜晶体管T3和T4，电容C2；

所述T3的源极与OVDD连接，漏极与T4的源极连接，所述T3的栅极与EM连接；所述T4的漏极通过一条所述上下层连接线与所述有机发光二极管的正极连接；所述有机发光二极管的负极与OVSS连接；所述C2一端与所述T3的源极连接，另一端与所述T3的漏极连接；

所述T1的源极与所述T2的源极连接，所述T2的漏极与Vdata连接，所述T1的漏极与Vref连接，所述T1的栅极与Scan1连接，所述T2的栅极与Scan2连接；所述T1的源极与所述C1的另一端连接，所述C1的另一端通过一条所述上下层连接线与所述T3的漏极连接；所述T4的栅极通过一条所述上下层连接线与所述T1的源极连接。

2.根据权利要求1所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述T1和T2为氧化物薄膜晶体管，所述T3和T4为低温多晶硅薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述下层补偿电路的薄膜晶体管包括：第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第一有源层设置于基板上，所述第一有源层上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有所述第一栅极，所述第一栅极上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置有所述第一源极和所述第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过一个通孔与所述第一有源层连接；

所述下层补偿电路的薄膜晶体管的一侧还设置有所述上层补偿电路的薄膜晶体管。

4.根据权利要求3所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述上层补偿电路的薄膜晶体管包括：第二栅极、第二源极、第二漏极、第二有源层和第四绝缘层；所述第二有源层设置于所述第二绝缘层上，所述第二有源层上设置有第三绝缘层，所述第三绝缘层上设置有所述第二栅极，所述第二栅极上设置有所述第四绝缘层，所述第四绝缘层上设置有所述第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极分别通过一个通孔与所述第二有源层连接。

5.根据权利要求4所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述第四绝缘层还设置于所述第二绝缘层与第一源极和第一漏极之间。

6.根据权利要求3所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述上层补偿电路的薄膜晶体管包括：第三有源层、第三栅极、第三源极和第三漏极；

所述第三栅极设置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，所述第二绝缘层上设置有所述第三有源层，所述第三有源层两侧分别设置有第二源极和第二漏极。

7.根据权利要求4所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述第四绝缘层还设置于所述第二绝缘层与第一源极和第一漏极之间。

8.根据权利要求1所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述上层补偿电路的薄膜晶体管包括：第二栅极、第二源极、第二漏极、第二有源层和第四绝缘层；

基板上设置有第一绝缘层，第一绝缘层上设置有第二绝缘层；

所述第二有源层设置于所述第二绝缘层上，所述第二有源层上设置有第三绝缘层，所述第三绝缘层上设置有所述第二栅极，所述第二栅极上设置有所述第四绝缘层，所述第四绝缘层上设置有所述第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极分别通过一个通孔与所述第二有源层连接。

9.根据权利要求1所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述上层补偿电路的薄膜晶体管包括：第三有源层、第三栅极、第三源极和第三漏极；

基板上设置有第一绝缘层，第一绝缘层上设置有第二绝缘层；

所述第三栅极设置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，所述第二绝缘层上设置有所述第三有源层，所述第三有源层两侧分别设置有第二源极和第二漏极。

10.根据权利要求3所述一种多层像素补偿电路，其特征在于，所述第一有源层为多晶硅有源层。