[实用新型]存储器

说明书

本实用新型涉及一种存储器，包括存储组、第一信号线和第二信号线；多个存储组沿第一方向排布，存储组包括存储块，多个存储块沿第二方向排布，第一方向与第二方向垂直；第一信号线沿第一方向延伸，其与多个存储块对应设置，且用于传输其对应多个存储块的存储数据；第二信号线沿第一方向延伸，其与存储块一一对应设置，且第二信号线用于传输其对应存储块的存储数据；其中，第一信号线通过数据交换电路与第二信号线交换存储数据。本实用新型中，通过设置第一信号线将存储数据传输至每一存储块，然后通过每一存储块对应的数据交换电路与第二信号线交换存储数据，降低第二信号线的功耗，进而减小存储块之间的速度差异。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种存储器。

背景技术

在现代的DRAM芯片中，随着尺寸的逐渐变小，布线密度变得越来越大。通常情况下，将焊盘区设置在布线区的一侧或存储组的中间区域，这样对于远离焊盘区的存储区会产生一定的影响，例如，当信号线为电源线时，电源线上远离焊盘区的位置处会产生压降或接地反弹，从而影响处于信号线远端的存储区的速度。

实用新型内容

基于此，有必要针对目前因信号传输距离较大而影响存储区速度的问题，提供了一种存储器。

本实用新型实施例提供了一种存储器，包括：

存储组，多个所述存储组沿第一方向排布，所述存储组包括存储块，多个所述存储块沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向垂直；

第一信号线，沿所述第一方向延伸，其与多个所述存储块对应设置，且用于传输其对应多个存储块的存储数据；以及

第二信号线，沿所述第一方向延伸，其与所述存储块一一对应设置，且所述第二信号线用于传输其对应存储块的存储数据；

其中，所述第一信号线通过数据交换电路与所述第二信号线交换所述存储数据。

在其中一个实施例中，所述第一信号线包括多条具有相同线宽的第一金属线，所述第二信号线包括多条具有相同线宽的第二金属线。

在其中一个实施例中，所述第一金属线的线宽小于所述第二金属线的线宽

在其中一个实施例中，两条所述第一金属线之间的间距大于两条所述第二金属线之间的间距。

在其中一个实施例中，所述存储器还包括电源线和接地线，于所述第一信号线的两侧布置所述电源线或接地线，于所述第二信号线的两侧布置所述电源线或接地线。

在其中一个实施例中，所述存储器还包括顶层金属层，所述顶层金属层中设置有所述第一信号线、所述第二信号线、所述电源线和所述接地线。

在其中一个实施例中，所述存储器还包括次顶层金属层，所述次顶层金属层中也设置有所述电源线或所述接地线，所述电源线或所述接地线在所述次顶层金属层中沿所述第一方向和所述第二方向均有排布。

在其中一个实施例中，在所述次顶层金属层中，沿所述第二方向排布的所述电源线或所述接地线位于所述存储组正上方，且位于所述存储组中间和平行于所述第二方向的两个边缘。

在其中一个实施例中，沿所述第一方向排布的所述电源线位于沿所述第二方向排布的所述电源线之间，或沿所述第一方向排布的所述接地线位于沿所述第二方向排布的所述接地线之间。

在其中一个实施例中，所述存储器还包括通道数据总线，所述通道数据总线与所述第一信号线通过通道数据交换电路交换所述存储数据。

在其中一个实施例中，所述通道数据总线于远离所述存储组的一侧布置。

在其中一个实施例中，所述存储组为n个，所述第二信号线的个数是所述第一信号线的个数的m倍，其中所述m和所述n均为正整数。