[实用新型]异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有相背设置的第一主面与第二主面、以及连接所述第一主面与所述第二主面的侧面，所述第一主面与所述第二主面中的一个为受光面，另一个为背光面；其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括覆于所述单晶硅衬底外的本征结构膜、覆于所述本征结构膜外的掺杂结构膜、覆于所述掺杂结构膜外且位于所述第一主面侧的第一透明导电膜层、覆于所述掺杂结构膜外且位于所述第二主面侧的第二透明导电膜层、位于所述第一透明导电膜层上的第一集电极、以及位于所述第二透明导电膜层上的第二集电极；所述本征结构膜包括位于所述第一主面的第一本征非晶层以及位于所述第二主面的第二本征非晶层，所述第一本征非晶层周边延伸至所述第一主面的边缘，第二本征非晶层具有朝所述第一本征非晶层方向延伸以覆盖全部所述侧面且连接至所述第一本征非晶层边缘的本征侧边部；所述掺杂结构膜包括位于所述第一主面侧的第一掺杂非晶层以及位于所述第二主面侧且掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层、所述第一掺杂非晶层、所述第二本征非晶层及所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的两者厚度之和小于或等于位于所述背光面的两者厚度之和。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层、所述第一掺杂非晶层、所述第二本征非晶层及所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的两者厚度之和为6-21nm、位于所述背光面的两者厚度之和为6-30nm。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中位于所述受光面的厚度小于或等于位于所述背光面的厚度。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中位于所述受光面的厚度为3-6nm，位于所述背光面的厚度为3-10nm。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面一侧的厚度小于或等于位于所述背光面一侧的厚度。

7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面一侧的厚度为3-15nm，位于所述背光面一侧的厚度为3-20nm。

8.根据权利要求1、2或3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，由所述背光面指向所述受光面的方向上，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的依次包括第一掺杂非晶硅膜以及位于所述第一掺杂非晶硅膜表面的掺杂非晶氧化硅膜、掺杂非晶碳化硅膜或掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的还包括位于所述掺杂非晶氧化硅膜、所述掺杂非晶碳化硅膜或所述掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜表面的第二掺杂非晶硅膜。

10.根据权利要求1、2或3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，由所述受光面指向所述背光面的方向上，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述背光面的依次包括第三掺杂非晶硅膜以及位于所述第三掺杂非晶硅膜表面且掺杂浓度大于所述第三掺杂非晶硅膜的第四掺杂非晶硅膜。

11.根据权利要求1、2或3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层的掺杂侧边部与所述第二掺杂非晶层的掺杂侧边部于所述本征侧边部外层叠设置。

12.根据权利要求1、2或3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征侧边部的厚度不小于1nm。