[实用新型]晶圆激光切割用的产品吸附装置有效

专利信息
申请号: 202021775636.0 申请日: 2020-08-24
公开(公告)号: CN212443806U 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 赵裕兴;梁倍宁 申请(专利权)人: 苏州德龙激光股份有限公司;江阴德力激光设备有限公司
主分类号: B23K26/70 分类号: B23K26/70;B23K26/03;B23K26/38;B23K37/04;B23K101/40
代理公司: 江苏圣典律师事务所 32237 代理人: 王玉国
地址: 215021 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 激光 切割 产品 吸附 装置
【说明书】:

实用新型涉及晶圆激光切割用的产品吸附装置,载台底座上开设有凹腔,照明光源安装于凹腔内,透明吸附载台置于载台底座上,透明吸附载台的外径上部设有台阶,透明吸附载台的外围配置有环形载台压块,上部具有与台阶相配的台肩,台肩压住台阶,通过螺丝将载台压块与载台底座连接,将透明吸附载台压住固定;透明吸附载台的外径与载台压块的内径间间隙形成环形气腔,载台压块上开设与环形气腔连通的气道,载台压块与吸附载台的压合面上开设与环形气腔连通的导气槽,透明吸附载台上表面分布有与环形气腔连通的吸附槽;载台压块的下端内孔设有环形槽,槽中嵌装密封圈,载台压块下端与透明吸附载台间密封;载台底座外沿设有吸附固定器。吸附均匀性好。

技术领域

本实用新型涉及一种晶圆激光切割用的产品吸附装置,属于激光加工设备技术领域。

背景技术

半导体晶圆经适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等流程在晶圆上完成数层电路及电子元件形成一个个晶粒,然后晶圆再经过激光切割开,分割成一颗颗单独的晶粒,将单个晶粒固定在芯片基座上,将晶粒上的引接线端与芯片基座底部的插脚相连,然后封装成为集成电路芯片。

因晶粒尺寸小,激光切割时需要有钢环载体及载台将产品固定住,钢环载体1作为产品搬运和加工时的载体,如图6、图7所示,膜12覆于钢环11底面上,产品13置于膜12上。定位后进行切割,为了保证切割的尺寸精度,加工过程中晶粒与载台不能有相对位移,因此对载台的平面度和吸附固定要求较高。

因此,需要设计一种晶圆切割加工时对产品吸附固定的产品吸附装置。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术存在的不足,提供一种晶圆激光切割用的产品吸附装置,对产品牢固吸附且吸附力均匀,满足吸附平面度要求,并解决影像系统无法精确定位的问题。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:

晶圆激光切割用的产品吸附装置,特点是:包含载台底座、透明吸附载台、载台压块以及照明光源,载台底座上开设有用于容纳照明光源的凹腔,照明光源安装于凹腔内,其上表面低于载台底座的上表面,透明吸附载台置于载台底座上,与照明光源正对,透明吸附载台的外径上部设有台阶,透明吸附载台的外围配置一环形的载台压块,载台压块具有与透明吸附载台的外径配合的内孔,上部具有与透明吸附载台的台阶相配的台肩,载台压块的台肩压住透明吸附载台的台阶,通过螺丝将载台压块与载台底座连接,将透明吸附载台压住固定;

透明吸附载台的外径与载台压块的内径间具有间隙,形成环形气腔,载台压块上开设有与环形气腔连通的气道,载台压块与吸附载台的压合面上沿径向开设有与环形气腔连通的导气槽,透明吸附载台的上表面分布有数道与环形气腔连通的吸附槽;

载台压块的下端内孔设有环形槽,环形槽中嵌装有密封圈,密封圈的外径与载台压块紧密接触,密封圈的内径与透明吸附载台紧密接触,使载台压块的下端与透明吸附载台之间密封;

载台底座的外沿沿周向分布有支座,支座上安装有吸附固定器。

进一步地,上述的晶圆激光切割用的产品吸附装置,其中,透明吸附载台的材质为石英玻璃。

进一步地,上述的晶圆激光切割用的产品吸附装置,其中,透明吸附载台上表面的平面度小于1微米。

进一步地,上述的晶圆激光切割用的产品吸附装置,其中,载台压块上沿径向开设与环形气腔连通的气道,气道外口安装有气接头一。

进一步地,上述的晶圆激光切割用的产品吸附装置,其中,载台压块上与环形气腔连通的气道位于环形槽之上。

进一步地,上述的晶圆激光切割用的产品吸附装置,其中,载台底座的外沿沿周向均匀分布有四只支座,每只支座上安装一吸附固定器。

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