[实用新型]一种高内量子效率的绿光LED磊晶结构

权利要求书

1.一种高内量子效率的绿光LED磊晶结构，包括衬底，其特征在于：依次叠加设置在衬底上的AlN缓冲层、缺陷湮灭层、u-GaN层、N-GaN层、发光层、电子阻挡层和P-GaN层；所述缺陷湮灭层由若干对交替堆叠的AlN/GaN组成。

2.如权利要求1所述的高内量子效率的绿光LED磊晶结构，其特征在于：所述衬底为图形化衬底，材料为蓝宝石、硅、碳化硅、磷化铟、氮化镓、砷化镓中的一种，所述图形的形状为蒙古包状，周期为1～3μm，高度为0.5～2.4μm，底宽为0.5～3μm。

3.如权利要求1所述的高内量子效率的绿光LED磊晶结构，其特征在于：所述AlN/GaN的周期重复数大于10，所述AlN的厚度为2～10nm，GaN的厚度为15～30nm。

4.如权利要求1所述的高内量子效率的绿光LED磊晶结构，其特征在于：所述u-GaN层的厚度为2～3.5um，N-GaN层的厚度为2～3.5um，电子阻挡层的厚度为20～100nm，P-GaN层的厚度为100～300nm。