[实用新型]量子点发光二极管及显示装置

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其包括：阳极层、阴极层、设置在所述阳极层和所述阴极层之间的量子点层，以及设置在所述量子点层和所述阴极层之间的电子传输层；其特征在于，还包括：设置在所述电子传输层和所述量子点层之间的电子阻挡层；其中，

所述电子阻挡层和所述量子点层连接为一体。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层包括含巯基的硅氧烷聚合物。

3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述含巯基的硅氧烷聚合物包括3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二乙氧基硅烷、巯基丙基硅烷、3-巯丙基三甲基硅烷、双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述含巯基的硅氧烷聚合物中的烷基官能团包括甲基、乙基、丙基、己基、壬基、十二烷基、十四烷基、十六烷基、十八烷基、苯基中的任一种。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点层的材料包括有机-无机杂化钙钛矿量子点或者全无机钙钛矿量子点。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料包括氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌中的至少一种，或者离子掺杂型的氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌中的至少一种。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括基底、空穴传输层和空穴注入层，其中，所述阴极层、所述电子传输层、所述电子阻挡层、所述量子点层、所述空穴传输层、所述空穴注入层、所述阳极层沿背离所述基底方向依次设置。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度约为0.685nm。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的量子点发光二极管。