[实用新型]一种抛光结构有效

专利信息
申请号: 202021808324.5 申请日: 2020-08-26
公开(公告)号: CN212762876U 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 赵晟佑 申请(专利权)人: 西安奕斯伟硅片技术有限公司
主分类号: B24B41/04 分类号: B24B41/04
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 胡影;李红标
地址: 710065 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 抛光 结构
【说明书】:

实用新型提供一种抛光结构,包括:驱动轴;连接盘,连接盘的上侧与驱动轴的下端相连;定盘,定盘的上侧与连接盘的下侧相连;抛光盘,抛光盘设在定盘的下侧,定盘的下侧与驱动轴对应的区域形成有圆形凹面,抛光盘上远离定盘的一侧设有容纳腔以容纳抛光垫。本实用新型的抛光结构中,在定盘的下侧与驱动轴对应的区域形成有圆形凹面,通过圆形凹面能够减小抛光盘上与驱动轴对应区域的压力,使得抛光盘承受的压力均匀,在抛光硅片时,能够减小硅片上中央部位的压力,使得硅片的中央部位与边缘部位的压力更加均匀,进而使得硅片的中央部位和边缘部位研磨的更均匀,提高硅片表面的平坦度,提高硅片的抛光质量。

技术领域

本实用新型涉及抛光领域,具体涉及一种抛光结构。

背景技术

在抛光硅片过程中,抛光头上的抛光垫上被喷上砂浆及化学品,来进行硅片抛光,这时使用的抛光液的微粒子被抛光垫及硅片同时研磨去除,抛光垫的形态变为凹凸不平,并且残渣累积在抛光垫上容易产生颗粒污染。如图1所示,在加工硅片的过程中,为了研磨硅片,驱动轴1上的压力给到硅片2的中央部分,硅片2的边缘部位压力偏小,硅片2的中央部分与边缘部分所受的压力不均匀,导致硅片的中央部位研磨多,边缘部位研磨少,硅片研磨不均匀,使得硅片的平坦度恶化,影响硅片的抛光质量。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提供一种抛光结构,用以解决抛光过程中,硅片的中央部分与边缘部分所受的压力不均匀,导致硅片研磨不均匀,使得硅片的平坦度恶化的问题。

为解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案:

根据本实用新型实施例的抛光结构,包括:

驱动轴;

连接盘,所述连接盘的上侧与所述驱动轴的下端相连;

定盘,所述定盘的上侧与所述连接盘的下侧相连;

抛光盘,所述抛光盘设在所述定盘的下侧,所述定盘的下侧与所述驱动轴对应的区域形成有圆形凹面,所述抛光盘上远离所述定盘的一侧设有容纳腔以容纳抛光垫。

其中,所述驱动轴的轴线与所述连接盘的轴线、所述定盘的轴线、所述抛光盘的轴线共线。

其中,所述圆形凹面的轴线与所述定盘的轴线共线。

其中,所述圆形凹面的深度小于或等于7.0um。

其中,还包括:

压力传感器,所述压力传感器设置于所述定盘上。

其中,所述压力传感器具有多个,多个所述压力传感器间隔开设置于所述定盘上。

其中,所述定盘的上侧设有多个环状区域,多个所述环状区域的中心重合,每个所述环状区域内分别设有多个沿所述定盘的周向间隔开设置的所述压力传感器。

其中,所述定盘为金属件。

其中,还包括:

驱动结构,所述驱动结构与所述驱动轴的上端相连以驱动所述驱动轴旋转。

其中,还包括:

抛光垫,所述抛光垫设置于所述容纳腔中。

本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:

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