[实用新型]一种SDB工艺的测试结构

权利要求书

1.一种SDB工艺的测试结构，用于检测单扩散区切断的工艺情况，其特征在于，所述测试结构包括至少一个基本单元：

所述基本单元包括两个鳍式场效应晶体管：第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管；所述鳍式场效应晶体管包括一根鳍部或至少两根相邻的平行鳍部，以及横跨鳍部的栅极结构；鳍式场效应晶体管的源极和漏极分设在栅极结构两侧的鳍部上；

所述第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管共用同一根栅极结构；单扩散区切断设置在第二鳍式场效应晶体管的栅极结构上，用于截断第二鳍式场效应晶体管的源极和漏极；

所述第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管共用源极金属线和漏极金属线；所述源极金属线分别连接到第一鳍式场效应晶体管的源极和第二鳍式场效应晶体管的源极，所述漏极金属线分别连接到第一鳍式场效应晶体管的漏极和第二鳍式场效应晶体管的漏极。

2.根据权利要求1所述的SDB工艺的测试结构，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管的有源区的类型为L形或者矩形；

所述有源区为L形时，源区和漏区占用的鳍部数目不同，即栅极结构两侧的鳍部数目不同；

所述有源区为矩形时，源区和漏区占用的鳍部数目相同，即栅极结构两侧的鳍部数目相同。

3.根据权利要求2所述的SDB工艺的测试结构，其特征在于，所述基本单元中，第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管能够采用不同类型的有源区。

4.根据权利要求1所述的SDB工艺的测试结构，其特征在于，所述第一鳍式场效应晶体管的栅极结构两侧，至少有一侧的鳍部数目为1。

5.根据权利要求1至4任一项所述的SDB工艺的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多个基本单元，所述多个基本单元之间并联：

每个基本单元的源极金属线都连接到同一根源极测量信号线，每个基本单元的漏极金属线都连接到同一根漏极测量信号线，每个基本单元的栅极结构都连接到同一根栅极测量信号线。

6.根据权利要求1至4任一项所述的SDB工艺的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多个基本单元，所述多个基本单元之间串联：

前一个基本单元的漏极金属线与下一个基本单元的源极金属线连接，第一个基本单元的源极金属线连接到源极测量信号线，最后一个基本单元的漏极金属线连接到漏极测量信号线，每个基本单元的栅极结构都连接到同一根栅极测量信号线。