[实用新型]防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构有效
| 申请号： | 202021816771.5 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN213150777U | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;王根毅;周永珍 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防闩锁 高密度 功率 半导体器件 结构 | ||
1.一种防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构，它包括漏极金属（1）、位于漏极金属（1）上方的第一导电类型衬底（2）及位于第一导电类型衬底（2）上方的第一导电类型外延层（3），在第一导电类型外延层（3）的上表面设置第二导电类型体区（8），在第二导电类型体区（8）的上表面设置互相平行的沟槽（4），所述沟槽（4）穿透第二导电类型体区（8）进入第一导电类型外延层（3）内，在沟槽（4）的侧壁以及底面设有栅氧层（5），在栅氧层（5）内设有栅极导电多晶硅（6），在栅氧层（5）与栅极导电多晶硅（6）的上方设有绝缘介质层（7）；
其特征是：在对应于相邻沟槽（4）之间的第二导电类型体区（8）的上表面两侧设有第一导电类型源区（9）并在位于第一导电类型源区（9）之间的第二导电类型体区（8）内设有呈间隔块状设置的第二导电类型阱区（10），第二导电类型阱区（10）的侧面与第一导电类型源区（9）的侧面相接，在绝缘介质层（7）、第二导电类型体区（8）、第一导电类型源区（9）与第二导电类型阱区（10）的上方设有源极金属（11），源极金属（11）与绝缘介质层（7）、第二导电类型体区（8）、第一导电类型源区（9）以及第二导电类型阱区（10）接触。
2.根据权利要求1所述的防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构，其特征是：所述第一导电类型源区（9）的上表面与第二导电类型阱区（10）的上表面平齐，第一导电类型源区（9）的下表面位于栅极导电多晶硅（6）的上表面的下方，重掺杂第二导电类型阱区（10）的下表面位于第一导电类型源区（9）的下表面的上方。
3.根据权利要求1所述的防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构，其特征是：所述第二导电类型阱区（10）的杂质掺杂浓度低于第一导电类型源区（9）的杂质掺杂浓度。
4.根据权利要求1所述的防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构，其特征是：对于N型功率半导体器件，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；对于P型功率半导体器件，所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。
5.根据权利要求1所述的防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构，其特征是：在位于相邻沟槽（4）之间的第二导电类型体区（8）内的相邻第二导电类型阱区（10）的中心间距为0.1微米至100微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡新洁能股份有限公司，未经无锡新洁能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021816771.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
