[实用新型]改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台

权利要求书

1.一种改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，所述炉管机台具有一反应室，所述反应室内装载有硅片，其特征在于，所述反应室内设有两根进气管，所述进气管上分布有出气孔，其中一根进气管为上进气管，另一根进气管为下进气管。

2.根据权利要求1所述的改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，其特征在于，所述上进气管的进气口位于所述反应室的上部，所述下进气管的进气口位于所述反应室的下部。

3.根据权利要求1所述的改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，其特征在于，所述上进气管的进气口与所述反应室内最上方的硅片在竖直方向上的距离和所述下进气管的进气口与所述反应室内最下方的硅片在竖直方向上的距离相等。

4.根据权利要求1所述的改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，其特征在于，所述上进气管的出气孔位置和所述下进气管的出气孔位置与所述反应室内每层硅片的位置相对应。

5.根据权利要求4所述的改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，其特征在于，所述上进气管的出气孔的数量及间距和所述下进气管的出气孔的数量及间距相同。

6.根据权利要求4所述的改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，其特征在于，所述上进气管的出气孔的孔径和所述下进气管的出气孔的孔径相同。

7.根据权利要求4所述的改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，其特征在于，所述上进气管的出气孔的孔径和所述下进气管的出气孔的孔径不同。

8.根据权利要求1所述的改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，其特征在于，两根进气管用于同时通入吹扫气体，且其中一根进气管用于通入第一气相前驱体，另一根进气管用于通入第二气相前驱体。

9.根据权利要求8所述的改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，其特征在于，所述吹扫气体为氮气或惰性气体。

10.根据权利要求1所述的改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，其特征在于，所述上进气管和所述下进气管均设有流量控制阀及流量传感器，所述流量传感器用于监测所述上进气管和所述下进气管的气体流量，所述流量控制阀用于控制所述上进气管和所述下进气管的气体流量。