[实用新型]一种带短路结构的灵敏触发晶闸管

说明书

本实用新型提供一种带短路结构的灵敏触发晶闸管，该晶闸管包括基区P，在基区P上形成有有源区和短路点，所述基区P的部分区域上表面设置有第一金属引线形成门极区，所述有源区的上表面设置有第二金属引线形成阴极区，所述的有源区和基区P的上表面间隔的覆盖有氧化层，所述短路点的上表面设有电阻条，前述电阻条的一部分与短路点搭接，另一部分与有源区上的第二金属引线搭接，且电阻条和有源区之间由氧化层分隔。该带短路结构的灵敏触发晶闸管具有通过短路点结构改善晶闸管的高温性能，防止晶闸管使用过程中出现误触发，能保持晶闸管的灵敏触发能力，触发电流任然为微安级，极大的提高了灵敏触发晶闸管的工作可靠性。

技术领域

本实用新型涉及晶闸管领域，具体地，涉及一种短路结构灵敏触发晶闸管。

背景技术

晶闸管是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器。晶闸管的触发电流一般是指室温下，取阳极直流电压VAK=12V，使晶闸管从阻断到完全开通，所必须加的最小门极直流电流。按照导电方式的不同，晶闸管可以分为单向晶闸管和双向晶闸管，在单向晶闸管中，根据触发电流的不同，又分为强触发晶闸管和灵敏触发晶闸管。

对应单向晶闸管而言，灵敏触发晶闸管的触发电流为10—60μA，强触发晶闸管的触发电流为3-20mA，在不同的应用领域，这两种类型的晶闸管都有需求。灵敏触发晶闸管主要应用于一些触发信号很微弱的领域，比如漏电保护等，强触发晶闸管主要应用于一些触发信号比较强，对器件的结温比较高的领域。

一般而言，单向晶闸管的发射区有两种设计方式，一种为带短路点结构的设计，驱动电流从门极通过短路点流出到发射区引线，晶闸管的触发电流必然为毫安级的强触发，另一种设计为发射区全覆盖，不留短路区域的结构，驱动电流从门极通过发射区边缘流出到发射区引线，晶闸管的触发电流必然为微安级的灵敏触发。灵敏触发晶闸管的优点是触发非常灵敏，稍有微安级的电流就能触发晶闸管，缺点是在温度稍高的情况下，晶闸管的触发电流会变得更小，线路中的漏电流就很容易让晶闸管导通，产生误触发。而强触发晶闸管的优点是触发电流比较大，温度特性比较好，在高温下不容易因为漏电流的存在而误触发，缺点就是触发灵敏度比较低。

有鉴于现有技术的上述缺陷，需要一种新型的带短路结构的灵敏触发晶闸管。

发明内容

本实用新型的目的是针对上述问题，提出一种新型的带短路结构的灵敏触发晶闸管，该带短路结构的灵敏触发晶闸管具有通过短路点结构改善晶闸管的高温性能，防止晶闸管使用过程中出现误触发，能保持晶闸管的灵敏触发能力，触发电流任然为微安级，极大的提高了灵敏触发晶闸管的工作可靠性。

本实用新型的技术方案是：

本实用新型提供一种带短路结构的灵敏触发晶闸管，该晶闸管包括基区P，在基区P上形成有有源区和短路点，所述基区P的部分区域上表面设置有第一金属引线形成门极区，所述有源区的上表面设置有第二金属引线形成阴极区，所述的有源区和基区P的上表面间隔的覆盖有氧化层，所述短路点的上表面设有电阻条，前述电阻条的一部分与短路点搭接，另一部分与有源区上的第二金属引线搭接，且电阻条和有源区之间由氧化层分隔。

进一步地，所述的基区P的最外侧形成有穿通区，在穿通区的内侧上表面形成有钝化层。

进一步地，所述的穿通区包括正面穿通区和背面穿通区，所述的正面穿通区和背面穿通区对称设置。

进一步地，所述的电阻条采用氮化硅条。

进一步地，所述氮化硅条的厚度为：0.1-1μm。

进一步地，所述的短路点远离门极区，该短路点是尺寸为100*100~300*300微米宽度的正方形短路区域。

本实用新型的有益效果：