[实用新型]一种对瞬态高压及浪涌的双重防护电路

权利要求书

1.一种对瞬态高压及浪涌的双重防护电路，其特征是，包括防瞬态模块（1）、防浪涌一级模块（2）、防浪涌二级模块（3）和充电泵模块（4），电路输入端分别与防瞬态模块（1）输入端、防浪涌一级模块（2）输入端连接，防浪涌一级模块（2）输出端分别与防浪涌二级模块（3）输入端相连接，防浪涌一级模块（2）还与充电泵模块（4）连接。

2.根据权利要求1所述的一种对瞬态高压及浪涌的双重防护电路，其特征是，所述防瞬态模块（1）包括二极管D1，电路输入端与二极管D1负极连接，二极管D1正极接地。

3.根据权利要求1所述的一种对瞬态高压及浪涌的双重防护电路，其特征是，防浪涌一级模块（2）包括电阻R2、二极管D2、二极管D4、电阻R3和二极管D6，电路输入端分别与电阻R2一端和电阻R3一端相连接，电阻R2另一端与二极管D2负极连接，二极管D2正极与二极管D4负极连接，二极管D4正极接地，电阻R3另一端与二极管D6负极连接，二极管D6正极与防浪涌二级模块（3）输入端连接。

4.根据权利要求3所述的一种对瞬态高压及浪涌的双重防护电路，其特征是，防浪涌二级模块（3）包括电阻R4、MOS 管Q1和输出采样及反馈模块（31），二极管D6正极与MOS管漏极连接，MOS管Q1三级分别与电阻R4一端、二极管D4负极和输出采样及反馈模块（31）反馈端连接，输出采样及反馈模块（31）输出端与电路输出端连接。

5.根据权利要求3所述的一种对瞬态高压及浪涌的双重防护电路，其特征是，电路还包括电容C2、电阻R1、MOS管Q2、电阻R5、二极管D7、二极管D3、二极管D5和电容C1，电路输入端与电容C2一端和MOS管Q2源极连接，电容C2另一端与电阻R1一端连接，电阻R1另一端分别与MOS管漏极和电阻R5一端相连接，电阻R5另一端分别与二极管D7正极、二极管D5正极和电路输出端连接、二极管D7负极分别与二极管D 6负极和二极管D3负极连接，二极管D3正极分别与二极管D5负极和电容C1一端连接，电容C1另一端与充电泵模块（4）连接。

6.根据权利要求4所述的一种对瞬态高压及浪涌的双重防护电路，其特征是，所述MOS管Q1为N沟道增强型。

7.根据权利要求5所述的一种对瞬态高压及浪涌的双重防护电路，其特征是，所述MOS管Q2为N沟道增强型。