[实用新型]磁旋含水有益物质产生装置电路有效

专利信息
申请号: 202021843570.4 申请日: 2020-08-29
公开(公告)号: CN212982542U 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 邱庆彬 申请(专利权)人: 平流层复合水离子(深圳)有限公司
主分类号: C02F1/48 分类号: C02F1/48;H02M3/335;H02M1/08;F04D27/00;G05B19/042
代理公司: 深圳市辉泓专利代理有限公司 44510 代理人: 刘海军;郝思楠
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 含水 有益 物质 产生 装置 电路
【权利要求书】:

1.一种磁旋含水有益物质产生装置电路,其特征在于,包括:MCU主控单元,以及受控于该MCU主控单元的磁旋放电环电路和水离子发生器;所述磁旋放电环电路用于对装置内的放电电极实现磁化;所述水离子发生器用于电离水以产生水离子。

2.根据权利要求1所述的磁旋含水有益物质产生装置电路,其特征在于:所述磁旋放电环电路包括三极管Q1和带铁芯的励磁线圈L2,所述三极管Q1的通断受控于所述MCU主控单元,以令所述励磁线圈L2产生磁场,所述磁场使放电电极的正极带磁。

3.根据权利要求2所述的磁旋含水有益物质产生装置电路,其特征在于:所述三极管Q1的集电极经励磁线圈L2连接至直流源,其发射极经电容C5与其基极连接,MCU主控单元的磁旋控制端与直流源之间串联接有若干分压电阻,所述三极管Q1的基极与分压电阻连接。

4.根据权利要求1所述的磁旋含水有益物质产生装置电路,其特征在于:所述水离子发生器包括变压器T1、开关驱动电路和输出电路,所述变压器T1的原边线圈的高电势端连接直流源,其低电势端连接开关驱动电路,其副边线圈连接所述输出电路;所述开关驱动电路具有连接MCU主控单元的开关控制端,以及连接变压器T1的开关信号输出端。

5.根据权利要求4所述的磁旋含水有益物质产生装置电路,其特征在于:所述开关驱动电路包括场效应管Q7,三极管Q8、Q9、Q10和Q11;所述场效应管Q7的漏极连接变压器T1的原边线圈低电势端,其源极接地,其栅极连接三极管Q8的发射极;所述三极管Q8的集电极连接直流源,其基极接地;所述三极管Q9的发射极连接场效应管的栅极,其集电极接地,其基极连接三极管Q8 的基极;所述三极管Q11的集电极与三极管Q8的基极连接,其发射极连的三极管Q8的集电极,其集电极与三极管Q10的集电极连接;所述三极管Q10的基极与MCU主控单元连接,其发射极接地;所述三极管Q8和Q10为N型三极管,所述三极管Q9和Q11为P型三极管。

6.根据权利要求5所述的磁旋含水有益物质产生装置电路,其特征在于:所述三极管Q8经二极管D6与直流源连接,所述二极管D6的正极连接直流源,其负极连接三极管Q8的集电极。

7.根据权利要求6所述的磁旋含水有益物质产生装置电路,其特征在于:所述二极管D6的负极经相并联电容C15和电解电容EC7接地;所述变压器T1的原边线圈高电势端经电解电容EC6接地,其低电势端经电容C17接地。

8.根据权利要求4所述的磁旋含水有益物质产生装置电路,其特征在于:所述输出电路包括二极管D8和D9,电容C8和C9;所述变压器T1的高电势端经由电容C8和二极管D8连接至输出电极A+,其低电势端连接至输出电极A-,且于输出电极A+和A-之间接有所述电容C9;所述二极管D9的正极接地,负极与二极管D8的正极连接。

9.根据权利要求1所述的磁旋含水有益物质产生装置电路,其特征在于:所述MCU主控单元连接控制有制冷电路和制冷风扇驱动电路,所述制冷电路包括受控于MCU主控单元的制冷芯片。

10.根据权利要求1-9任一项所述的磁旋含水有益物质产生装置电路,其特征在于:设有电源电路,所述电源电路包括储能电感LM1和变压稳压芯片U1,所述储能电感L1的输入端连接电输入端子JP1以获取直流电输入,其输出端产生第一直流电压并连接变压稳压芯片U1的输入端,所述变压稳压芯片U1的输出端产生第二直流压;所述储能电感LM1和变压稳压芯片U1的输入端和输出端分别设置有若干滤波电容。

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