[实用新型]磁旋含水有益物质产生装置电路

权利要求书

1.一种磁旋含水有益物质产生装置电路，其特征在于，包括：MCU主控单元，以及受控于该MCU主控单元的磁旋放电环电路和水离子发生器；所述磁旋放电环电路用于对装置内的放电电极实现磁化；所述水离子发生器用于电离水以产生水离子。

2.根据权利要求1所述的磁旋含水有益物质产生装置电路，其特征在于：所述磁旋放电环电路包括三极管Q1和带铁芯的励磁线圈L2，所述三极管Q1的通断受控于所述MCU主控单元，以令所述励磁线圈L2产生磁场，所述磁场使放电电极的正极带磁。

3.根据权利要求2所述的磁旋含水有益物质产生装置电路，其特征在于：所述三极管Q1的集电极经励磁线圈L2连接至直流源，其发射极经电容C5与其基极连接，MCU主控单元的磁旋控制端与直流源之间串联接有若干分压电阻，所述三极管Q1的基极与分压电阻连接。

4.根据权利要求1所述的磁旋含水有益物质产生装置电路，其特征在于：所述水离子发生器包括变压器T1、开关驱动电路和输出电路，所述变压器T1的原边线圈的高电势端连接直流源，其低电势端连接开关驱动电路，其副边线圈连接所述输出电路；所述开关驱动电路具有连接MCU主控单元的开关控制端，以及连接变压器T1的开关信号输出端。

5.根据权利要求4所述的磁旋含水有益物质产生装置电路，其特征在于：所述开关驱动电路包括场效应管Q7，三极管Q8、Q9、Q10和Q11；所述场效应管Q7的漏极连接变压器T1的原边线圈低电势端，其源极接地，其栅极连接三极管Q8的发射极；所述三极管Q8的集电极连接直流源，其基极接地；所述三极管Q9的发射极连接场效应管的栅极，其集电极接地，其基极连接三极管Q8 的基极；所述三极管Q11的集电极与三极管Q8的基极连接，其发射极连的三极管Q8的集电极，其集电极与三极管Q10的集电极连接；所述三极管Q10的基极与MCU主控单元连接，其发射极接地；所述三极管Q8和Q10为N型三极管，所述三极管Q9和Q11为P型三极管。

6.根据权利要求5所述的磁旋含水有益物质产生装置电路，其特征在于：所述三极管Q8经二极管D6与直流源连接，所述二极管D6的正极连接直流源，其负极连接三极管Q8的集电极。

7.根据权利要求6所述的磁旋含水有益物质产生装置电路，其特征在于：所述二极管D6的负极经相并联电容C15和电解电容EC7接地；所述变压器T1的原边线圈高电势端经电解电容EC6接地，其低电势端经电容C17接地。

8.根据权利要求4所述的磁旋含水有益物质产生装置电路，其特征在于：所述输出电路包括二极管D8和D9，电容C8和C9；所述变压器T1的高电势端经由电容C8和二极管D8连接至输出电极A+，其低电势端连接至输出电极A-，且于输出电极A+和A-之间接有所述电容C9；所述二极管D9的正极接地，负极与二极管D8的正极连接。

9.根据权利要求1所述的磁旋含水有益物质产生装置电路，其特征在于：所述MCU主控单元连接控制有制冷电路和制冷风扇驱动电路，所述制冷电路包括受控于MCU主控单元的制冷芯片。

10.根据权利要求1-9任一项所述的磁旋含水有益物质产生装置电路，其特征在于：设有电源电路，所述电源电路包括储能电感LM1和变压稳压芯片U1，所述储能电感L1的输入端连接电输入端子JP1以获取直流电输入，其输出端产生第一直流电压并连接变压稳压芯片U1的输入端，所述变压稳压芯片U1的输出端产生第二直流压；所述储能电感LM1和变压稳压芯片U1的输入端和输出端分别设置有若干滤波电容。