[实用新型]一种用于液氦温区输入端口可外匹配的单片低噪声放大器

权利要求书

1.一种用于液氦温区输入端口可外匹配的单片低噪声放大器，其特征在于：

包括输入端匹配电路、能够工作在零下269摄氏度的宽频带单片低噪声放大电路，所述输入端匹配电路与宽频带的单片低噪声放大电路级联；

输入端匹配电路包括通过电容C1、电容C2，电感L1、电阻R1、微带线TL7、微带线TL8和栅极偏置电路，微带线TL8和单片电路PAD1通过一条直径25μm，长度350μm至400μm的金丝连接。

2.根据权利要求1所述的用于液氦温区输入端口可外匹配的单片低噪声放大器，其特征在于：所述宽频带单片低噪声放大电路包括第一级mHEMT管T1，第二级mHEMT管T2，第三级mHEMT管T3，第一级mHEMT管T1的栅极通过PAD1连接输入端匹配电路，源极通过微带线TL1和TL2接地，漏极通过级间匹配电路与第二级mHEMT管T2连接，第二级mHEMT管T2的源极通过微带线TL3和TL4接地，漏极通过级间匹配电路与第三级mHEMT管T3连接，第三级mHEMT管T3的栅极连接输入端匹配电路，源极通过微带线TL5和TL6接地，漏极通过输出匹配电路与输出端口PAD2连接。

3.根据权利要求2所述的用于液氦温区输入端口可外匹配的单片低噪声放大器，其特征在于：所述第一级mHEMT管T1的栅宽为2×100μm，第二级mHEMT管T2栅宽为2×50μm，第三级mHEMT管T3栅宽为2×50μm。

4.根据权利要求3所述的用于液氦温区输入端口可外匹配的单片低噪声放大器，其特征在于：所述三级mHEMT管T1、T2、T3的栅极和漏极分别由B1～B6组成的偏置电路独立供电。

5.根据权利要求4所述的用于液氦温区输入端口可外匹配的单片低噪声放大器，其特征在于：

所述输入端匹配电路的电容元件选用芯片电容，电容C1值为12pF，电容C2值为33pF；

所述输入端匹配电路的电感元件为空芯线圈电感，电感L1值为39nH；

所述输入端匹配电路的电阻元件选用芯片电阻，电阻R1值为20Ω；微带线TL7、微带线TL8的阻抗都为50Ω。

6.根据权利要求5所述的用于液氦温区输入端口可外匹配的单片低噪声放大器，其特征在于：

所述宽频带单片低噪声放大电路采用130nm砷化镓GaAs基工艺，电路标准厚度为100μm。