[实用新型]侦测Centura ACP机台传送晶圆完整性的装置有效
申请号: | 202021856934.2 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN212967607U | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 张洋洋;顾海龙;何春雷 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 201315 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侦测 centura acp 机台 传送 完整性 装置 | ||
本实用新型公开了一种侦测Centura ACP机台传送晶圆完整性的装置,包括激光发射器、激光接收器以及与激光发射器和激光接收器连接的电源,激光发射器和激光接收器中的一个安装在所述机台的晶圆承载腔室顶部,激光发射器和激光接收器中的另一个安装在所述机台的晶圆承载腔室底部,所述激光发射器用于产生一圆形的激光圈或激光环,所述激光接收器用于形成圆形或环形的感应区域,所述激光圈或激光环与所述感应区域在竖直方向上的位置相对,所述晶圆承载腔室内的晶圆位于所述激光发射器和所述激光接收器之间,所述激光发射器发射的激光照射到所述晶圆的边缘。本实用新型可以对晶圆在晶圆承载腔室内的完整性进行实时监控,并且可以有效避免晶圆承载腔室内晶圆破片无法被发现而导致机台被迫停机的情况发生。
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路检测技术,具体属于一种侦测机台传送晶圆完整性的装置,特别适用于AMAT Centura ACP平台设备。
背景技术
在半导体器件的制造过程中,晶圆(wafer)不但要在各工艺的生产设备中流转,而且还要在各生产设备的机台的各个区域之间传送,如果晶圆在传送过程中发生损坏而未被及时发现,那么破片不仅会导致产品的良率下降,甚至还可能造成机台无法正常运行的风险。因此,在晶圆的工艺制程中,对晶圆的完整性进行侦测显得极为关键。
例如,在Centura ACP机台中,第一机械手将晶圆从晶舟处传送至晶圆承载腔室中,再由缓冲区(buffer)的机械手从晶圆承载腔室中抓取晶圆并传送至反应腔(processchamber)进行相对应的工艺步骤。当反应腔中的晶圆完成工艺后,缓冲区的机械手再次将完成作业后的晶圆从反应腔中取出并放回到晶圆承载腔室中。
在上述晶圆传送过程中,Centura ACP机台在缓冲区设置有侦测装置,用于实时侦测晶圆是否完整,但是该机台也仅仅是在缓冲区到反应腔的传送路径上以及缓冲区到晶圆承载腔室的传送路径上设置LCF作为侦测晶圆完整性的装置。
虽然Centura ACP机台已设置侦测装置,但是晶圆承载腔室内部也会发生因缓冲区的机械手臂传送(例如,缓冲区的晶圆取片刀(blade)伸入晶圆承载腔室内,晶圆取片刀的手臂与晶圆承载腔室的内壁发生碰撞)或升降装置升降而导致晶圆出现破片的情况,此时晶圆的状态在晶圆承载腔室内却无法侦测得到,这种破片在传送过程中可能会造成晶圆承载腔室的缝隙被碎片堵塞而导致整个机台无法正常运行不得不停机的严重风险。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种侦测Centura ACP机台传送晶圆完整性的装置,可以解决机台中晶圆承载腔室中无法及时侦测晶圆是否完整的问题。
为了解决上述问题,本实用新型提供的侦测Centura ACP机台传送晶圆完整性的装置,所述装置包括激光发射器、激光接收器以及与所述激光发射器和所述激光接收器连接的电源,所述激光发射器和所述激光接收器中的一个安装在所述机台的晶圆承载腔室顶部,所述激光发射器和所述激光接收器中的另一个安装在所述机台的晶圆承载腔室底部,所述激光发射器用于产生一圆形的激光圈或激光环,所述激光接收器用于形成圆形的或环形的感应区域,所述激光圈与所述感应区域在竖直方向上的位置相对,所述晶圆承载腔室内的晶圆位于所述激光发射器和所述激光接收器之间,所述激光发射器发射的激光照射到所述晶圆的边缘区域中。
优选地,所述激光发射器发射的激光垂直于所述晶圆。
优选地,所述激光接收器的感应区域的圆心、所述激光发射器发出的激光圈的圆心与所述晶圆的圆心在垂直于晶圆的同一条直线上。
优选地,所述激光发射器发射的激光圈照射到所述晶圆上的位置与所述晶圆的圆心之间的距离和所述晶圆的半径的比值为0.5~0.8。
优选地,所述激光发射器发射的激光环在所述晶圆上的照射区域在晶圆半径方向上的宽度和所述晶圆的半径的比值为0.5~0.8。
优选地,所述晶圆的边界位于所述激光发射器发射的激光环在所述晶圆上的的照射区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造