[实用新型]一种陶瓷介质滤波器有效

专利信息
申请号: 202021858112.8 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN213401455U 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 高小鹏;成钢;方锋明;彭蛟;匡鹏 申请(专利权)人: 通宇(中山)无线技术研究院有限公司
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P1/208
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 代理人: 卫煜睿
地址: 528400 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 陶瓷 介质 滤波器
【权利要求书】:

1.一种陶瓷介质滤波器,其特征在于:包括一个长方体的陶瓷介质块,陶瓷介质块的表面覆盖有一层金属银,陶瓷介质块的一个面为用于与PCB板贴装的安装面,在安装面上设有输入端口和输出端口,在与安装面相对的另一个面上设有多个谐振腔,在陶瓷介质块上贯穿安装面与相对面还设有用于调整相邻谐振腔耦合量的耦合槽,其中两个谐振腔之间的耦合槽为负耦合结构,该负耦合结构包括一个开口于安装面相对一面的负耦合孔(11),所述负耦合孔为盲孔,负耦合孔开口处沿着两个谐振腔连线的中轴线朝向陶瓷介质块外部设有一个深度浅于负耦合孔的开口沉槽(12)。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷介质滤波器,其特征在于:所述的谐振腔为六个,六个谐振腔按照每排三个,呈两排分布;第一排左侧第一个为第一谐振腔,第二排的三个从左到右分别为第二、第三、第四谐振腔,第一排的后两个从右到左分别为第五谐、第六谐振腔;负耦合结构设置在第四、第五谐振腔之间,所述的开口沉槽开口于陶瓷介质块的右端面;在第一、第六谐振腔之间设有向下延伸的耦合槽Ⅰ(8),在靠近耦合槽Ⅰ下端的位置设有垂直于耦合槽Ⅰ的耦合槽Ⅱ(7),耦合槽Ⅱ位于两排谐振腔之间的中线上,且向第一、二谐振腔之间延伸;在第三、第六谐振腔之间设有向右延伸的耦合槽Ⅲ(9),耦合槽Ⅲ的右端设有垂直于耦合槽Ⅲ的耦合槽Ⅳ(10),耦合槽Ⅳ位于第三、第四谐振腔之间连线的中线上且与耦合槽Ⅲ相连通;所述的谐振腔均为盲孔,输入端口与输出端口也为盲孔,且分别与第一、第六谐振腔对应设置。

3.根据权利要求2所述的一种陶瓷介质滤波器,其特征在于:耦合槽Ⅰ(8)比耦合槽Ⅱ(7)长;耦合槽Ⅲ(9)比耦合槽Ⅳ(10)长。

4.根据权利要求2所述的一种陶瓷介质滤波器,其特征在于:耦合槽Ⅰ(8)向下延伸至第二、三谐振腔上边缘连线位置,耦合槽Ⅲ(9) 向左侧延伸至第三、六谐振腔左侧边缘连线位置。

5.根据权利要求2所述的一种陶瓷介质滤波器,其特征在于:所述负耦合孔(11)设在第四谐振腔、第五谐振腔之间连线偏右的位置。

6.根据权利要求1所述的一种陶瓷介质滤波器,其特征在于:所述的输入端口与输出端口的开口处周围为金属银去除结构。

7.根据权利要求1所述的一种陶瓷介质滤波器,其特征在于:负耦合孔的深度大于谐振腔盲孔深度的1.2倍,小于谐振腔盲孔深度的2倍。

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