[实用新型]大功率可控硅器件

说明书

本实用新型公开一种大功率可控硅器件，包括：可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，所述陶瓷绝缘片开有通孔；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接，所述阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出；所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔。本实用新型大功率可控硅器件有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，进一步增强了热量的水平和垂直方向的扩散，从而延长了器件的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种大功率可控硅器件。

背景技术

可控硅是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管，可控硅整流器件是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和高电流的控制。可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种大功率可控硅器件，该大功率可控硅器件有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，进一步增强了热量的水平和垂直方向的扩散，从而延长了器件的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种可控硅，包括：可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，所述陶瓷绝缘片开有通孔，此通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；

所述可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接，所述栅极电极的栅极焊接部与可控硅芯片的栅极区通过第二导线连接，所述阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出；

所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔，所述环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔。

1. 上述方案中，所述阴极电极、栅极电极分别位于阳极电极两侧。

2. 上述方案中，所述阴极电极、栅极电极均位于陶瓷绝缘片的前侧。

3. 上述方案中，所述环氧封装体上表面和下表面均开有至少一个盲孔。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1. 本实用新型大功率可控硅器件，其陶瓷绝缘片开有通孔，此通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；大大增加了可控硅芯片与陶瓷绝缘片接触面积，且直接接触，既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也增加了可控硅芯片与阳极电极的垂直距离，提高了器件电性的可靠性。

2. 本实用新型大功率可控硅器件，其陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔，环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔，进一步增强了热量的水平和垂直方向的扩散，从而延长了器件的使用寿命。

附图说明

附图1为本实用新型大功率可控硅器件的结构示意图；