[实用新型]逆导半导体可控硅有效
申请号: | 202021861348.7 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN213212155U | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 唐兴军;王亚 | 申请(专利权)人: | 苏州兴锝电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L29/74 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 王健 |
地址: | 215010 江苏省苏州市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 可控硅 | ||
本实用新型公开一种逆导半导体可控硅,其可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接,所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面,此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接;阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出;所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板,此散热板上开有一圆孔,所述环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔;所述二极管芯片的正极通过焊膏层与所述第二导电柱一端电连接,所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与二极管芯片相背的表面。本实用新型逆导半导体可控硅有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上,便于热量扩散,大大提高了器件耐高压性能且关断时间短。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种逆导半导体可控硅。
背景技术
可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管,可控硅整流器件是一种非常重要的功率器件,可用来做高电压和高电流的控制。可控硅器件主要用在开关方面,使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态,反之亦然。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种逆导半导体可控硅,该逆导半导体可控硅有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上,便于热量扩散,大大提高了器件耐高压性能且关断时间短。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种逆导半导体可控硅,包括:可控硅芯片、二极管芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极,所述陶瓷绝缘片开有第一通孔、第二通孔,此第一通孔、第二通孔内分别设置有一第一导电柱、第二导电柱,所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖第一通孔,此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述第一导电柱一端电连接,所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面,此阳极电极的阳极焊接部与第一导电柱另一端电连接;
所述可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内,所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接,所述栅极电极的栅极焊接部与可控硅芯片的栅极区通过第二导线连接,所述阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出;
所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板,此散热板上开有一圆孔,所述环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔;
所述二极管芯片的正极通过焊膏层与所述第二导电柱一端电连接,所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与二极管芯片相背的表面,此阳极电极的阳极焊接部与第二导电柱另一端电连接,所述二极管芯片的负极通过第三导线与阴极焊接部电连接。
1. 上述方案中,所述阴极电极、栅极电极分别位于阳极电极两侧。
2. 上述方案中,所述阴极电极、栅极电极均位于陶瓷绝缘片的前侧。
3. 上述方案中,所述阳极电极的阳极焊接部和阳极管脚之间具有一折弯部。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
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