[实用新型]半导体存储装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体存储装置，该半导体存储装置包含基底、多个闸极、多个位线、以及虚置位线。多个闸极沿着第一方向设置在基底内，多个位线沿着第二方向设置在基底上，虚置位线沿着第二方向设置在多个位线外侧，虚置位线的一侧壁上设有多个突出部，多个突出部系自多个位线的顶面延伸至底面，并且多个突出部在第二方向上具有相同的长度。藉此，利用该些突出部可隔离延伸至位线之外的该些闸极，而在简化的制作工艺下，形成组件可靠度较佳的半导体存储装置。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体装置，尤其是涉及一种半导体存储装置。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展之趋势，动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度之要求。对于一具备凹入式闸极结构之DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构之漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构之DRAM单元。

一般来说，具备凹入式闸极结构之DRAM单元会包含一晶体管组件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术之故，现有具备凹入式闸极结构之DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器组件之效能及可靠度。

实用新型内容

本实用新型之一目的在于提供一种半导体存储装置，系借助自对准双重图案化制作工艺同时形成位在多个插塞之间的绝缘结构，以及位在虚置位线侧壁上的多个突出部。藉此，可利用该些绝缘结构隔离各个插塞，并且透过该些突出部进一步隔离延伸至外围区域内的字线，而在简化的制作工艺下，形成组件可靠度较佳的半导体存储装置，以改善其效能。

为达上述目的，本实用新型之一实施例提供一种半导体存储装置，其包含一基底；多个闸极；多个位线；以及两虚置位线。多个闸极沿着一第一方向设置在该基底内。多个位线沿着一第二方向设置在该基底上，该第二方向垂直该第一方向。两虚置位线沿着该第二方向设置在该些位线外侧，各该虚置位线的一侧壁上设有多个突出部，该些突出部系自各该位线的顶面延伸至底面，并且各该突出部在该第二方向上具有相同的长度。

附图说明

图1至图7绘示本实用新型第一优选实施例中半导体存储装置的示意图；其中

图1为本实用新型的半导体存储装置的俯视示意图；

图2为图1中沿着切线A-A’的剖面示意图；

图3为本实用新型的半导体存储装置形成位线后的剖面示意图；

图4为图3中沿着切线A-A’的剖面示意图；

图5为本实用新型的半导体存储装置进行一自对准双层图案化制作工艺的俯视示意图；

图6为图5中沿着切线A-A’的剖面示意图；以及

图7为本实用新型的半导体存储装置形成绝缘结构后的立体示意图；

图8至图9绘示本实用新型第二优选实施例中半导体存储装置的示意图；其中

图8为本实用新型的半导体存储装置进行一自对准双层图案化制作工艺的俯视示意图；以及

图9为本实用新型的半导体存储装置形成绝缘结构后的立体示意图；

图10至图11绘示本实用新型第三优选实施例中半导体存储装置的示意图；其中，

图10为本实用新型的半导体存储装置进行一自对准双层图案化制作工艺的俯视示意图；以及

图11为本实用新型的半导体存储装置形成绝缘结构后的立体示意图。

其中，附图标记说明如下：