[实用新型]功率单元均流控制电路有效

专利信息
申请号: 202021878668.3 申请日: 2020-09-01
公开(公告)号: CN212906037U 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 赵憨兵;张智;轩宗震;范贺艳 申请(专利权)人: 河北博宏感应技术股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 石家庄领皓专利代理有限公司 13130 代理人: 董霖
地址: 071000 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 功率 单元 控制电路
【说明书】:

发明涉及电力电子变换技术领域,提出了一种功率单元均流控制电路,功率单元包括并联的多个半桥电路,半桥包括串联的上桥臂功率管和下桥臂功率管,包括依次连接的调节器电路、比较电路和PWM调制电路,调节器电路的一个输入端用于与外部指令信号连接,调节器电路的另一个输入端与反馈信号连接,比较电路的一个输入端与调节器电路的输出连接,比较电路的另一个输入端与三角波发生电路的输出连接,PWM调制电路包括触发器、与门电路一及与门电路二,与门电路一的输出用于驱动上桥臂功率管,与门电路二的输出用于驱动下桥臂功率管。通过上述技术方案,解决了现有技术中功率单元均流控制效果差的问题。

技术领域

本发明涉及电力电子变换技术领域,具体的,涉及功率单元均流控制电路。

背景技术

随着电力电子技术的迅速发展,功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等优点在高频感应加热电源中得到了广泛的应用。但是,功率MOSFET容量的有限也成了亟待解决的问题。从理论上讲,功率MOSFET的扩容可以通过串联和并联两种方法来实现,实际使用中考虑到其导通电阻RDS(on)具有正温度系数的特点,多采用多管并联来增加其功率传导能力。在功率MOSFET多管并联时,器件内部参数的微小差异就会引起并联各支路电流的不平衡而导致单管过流损坏,严重情况下会破坏整个逆变装置,因此,功率MOSFET多管并联时的均流控制成为亟待解决的问题。

目前,均流控制多采用软件均流,软件发出一个控制信号,控制多路功率MOSFET的通断,由于每个功率MOSFET的内阻、引线电感和输出阻抗都不同,导致各个功率MOSFET 的电流不能完全一致,均流效果差。

实用新型内容

本发明提出功率单元均流控制电路,解决了现有技术中功率单元均流控制效果差的问题。

本发明的技术方案如下:

一种功率单元均流控制电路,功率单元包括并联的多个半桥电路,所述半桥包括串联的上桥臂功率管和下桥臂功率管,包括依次连接的调节器电路、比较电路和PWM调制电路,

所述调节器电路的一个输入端用于与外部指令信号连接,所述调节器电路的另一个输入端与反馈信号连接,

所述比较电路的一个输入端与所述调节器电路的输出连接,所述比较电路的另一个输入端与三角波发生电路的输出连接,

所述PWM调制电路包括触发器、与门电路一及与门电路二,所述触发器的时钟输入引脚与所述比较电路的输出连接,所述与门电路一的一个输入端与所述触发器的/Q输出端连接,所述与门电路一的另一个输出端与所述比较电路的输出连接,所述与门电路一的输出用于驱动上桥臂功率管,

所述与门电路二的一个输入端与所述触发器的Q输出端连接,所述与门电路二的另一个输出端与所述比较电路的输出连接,所述与门电路二的输出用于驱动下桥臂功率管。

进一步,所述比较电路和所述触发器之间依次通过与非门电路一、非门电路一连接,

所述比较电路和所述与门电路一之间依次通过所述与非门电路一、非门电路二连接,

所述比较电路和所述与门电路二之间依次通过所述与非门电路一、非门电路二连接,

所述与非门电路一的一个输入端与所述比较电路的输出连接,所述与非门电路一的另一个输入端与故障信号总线连接。

进一步,还包括故障信号输出电路,所述故障信号输出电路包括依次连接的二极管二十二和第十五电阻,所述二极管二十二的阳极用于连接外部故障信号一,所述第十五电阻的一端与地信号连接,

还包括二极管三,所述二极管三的阳极用于连接外部故障信号二,所述二极管三的阴极与所述二极管二十二的阴极连接,所述二极管二十二的阴极与非门电路三连接,所述非门电路三的输出与所述故障信号总线连接。

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