[实用新型]大功率集成电路芯片封装装置

说明书

本实用新型提供了一种大功率集成电路芯片封装装置。该大功率集成电路芯片封装装置包括大功率集成电路芯片、引线框架、和封装体。引线框架包括载片台和至少十个引脚；载片台具有相对于至少十个引脚所在平面打凹下沉的平面，用于承载大功率集成电路芯片，并且载片台的下沉部的至少一部分暴露于封装体的外部；至少十个引脚中的至少四个相邻引脚被连接在一起并被加宽以形成加宽引脚，并且加宽引脚与载片台相连接，形成大功率集成电路芯片与外界环境的散热通道。根据本实用新型实施例的集成电路芯片封装装置与同类结构相比，具有更好的散热性能、同时制造成本较低，因此可以用于大功率集成电路芯片的设计封装、规模化制造和应用。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，更具体地涉及一种大功率集成电路芯片封装装置。

背景技术

集成电路芯片的制造过程主要包括以下几个阶段：集成电路芯片的设计阶段、集成电路芯片的制作阶段、集成电路芯片的封装阶段、以及集成电路芯片的测试阶段。当集成电路芯片制作完成后，集成电路芯片上通常有多个焊垫。在集成电路芯片的封装阶段，通常会把集成电路芯片上的这些焊垫与对应的引线框架互相电连接。集成电路芯片通常是通过焊线、或者以植球结合的方式连接到引线框架上，使得集成电路芯片的这些焊垫与引线框架的接点电连接，从而实现集成电路芯片的封装结构内部的电气连接。

随着功率类集成电路芯片越来越多地被使用，如何实现大功率集成电路芯片的高散热性能的封装成为半导体行业普遍关心的问题。

发明内容

本实用新型提供了一种新颖的大功率集成电路芯片封装装置以及应用于该封装装置中的引线框架。

根据本实用新型的实施例，提供了一种集成电路芯片封装装置，包括大功率集成电路芯片、引线框架、以及封装体。其中，引线框架包括载片台和至少十个引脚；载片台具有相对于至少十个引脚所在平面打凹下沉的平面，用于承载大功率集成电路芯片，并且载片台的下沉部的至少一部分暴露于所述封装体的外部；并且至少十个引脚中的至少四个相邻引脚被连接在一起并被加宽以形成加宽引脚，并且加宽引脚与载片台相连接，形成大功率集成电路芯片与外界环境的散热通道。

在一个实施例中，至少十个引脚中的部分相邻引脚、或者全部相邻引脚之间的间距大于1.0mm。

在一个实施例中，载片台的下沉部暴露在封装体的表面的面积占封装体的同侧表面积的30％以上。

在一个实施例中，大功率集成电路芯片封装装置为贴片式结构或双列直插式结构。

在一个实施例中，大功率集成电路芯片为开关电源芯片。

根据本实用新型的实施例，还提供了一种引线框架，包括载片台和至少十个引脚。其中，载片台具有相对于至少十个引脚所在平面打凹下沉的平面，用于承载大功率集成电路芯片；并且至少十个引脚中的至少四个相邻引脚被连接在一起并被加宽以形成加宽引脚，并且加宽引脚与载片台相连接，形成大功率集成电路芯片与外界环境的散热通道。

根据本实用新型实施例的集成电路芯片封装装置与同类结构相比，具有更好的散热性能、同时制造成本较低，因此可以用于大功率集成电路芯片的设计封装、规模化制造和应用。

附图说明

从下面结合附图对本实用新型的具体实施方式的描述中可以更好地理解本实用新型，其中：

图1A示出了根据本实用新型实施例的大功率集成电路芯片封装装置的俯视图；

图1B示出了图1A所示的大功率集成电路芯片封装装置沿A-A的截面图；

图2A示出了根据本实用新型实施例的大功率集成电路芯片封装装置中的引线框架的俯视图；

图2B示出了图2A所示的引线框架沿B-B的截面图；

图3A示出了根据本实用新型的另一实施例的大功率集成电路芯片封装装置的俯视图；