[实用新型]一种半导体激光治疗设备

权利要求书

1.一种半导体激光治疗设备，包括电源（1）、光纤线缆(5)和壳体（2），其特征在于：所述壳体（2）上设置有内凹结构，所述内凹结构形成用于缠绕所述光纤线缆(5)的绕线部(22)。

2.根据权利要求1所述的半导体激光治疗设备，其特征在于：所述绕线部(22)设置于靠近壳体（2）底部的位置。

3.根据权利要求1所述的半导体激光治疗设备，其特征在于：所述绕线部(22)为环形凹槽结构。

4.根据权利要求3所述的半导体激光治疗设备，其特征在于：所述环形凹槽结构所在平面与所述壳体（2）的底面所在平面之间的夹角为锐角。

5.根据权利要求4所述的半导体激光治疗设备，其特征在于：所述锐角为30°。

6.根据权利要求3-5任意一项所述的半导体激光治疗设备，其特征在于：所述壳体（2）包括底部壳体(21)，所述底部壳体(21)包括上壁(211)和下壁(212)，所述上壁(211)形成所述壳体（2）内部的底壁，所述底部壳体(21)内下壁(212)与上壁(211)之间的空间形成电源安装空间，所述电源安装空间内设置有电源安装结构(3)，所述电源（1）固定安装于电源安装结构(3)上，所述下壁(212)与所述上壁(211)可拆连接；所述绕线部(22)设置于所述上壁(211)的靠近上端的位置。

7.根据权利要求6所述的半导体激光治疗设备，其特征在于：所述电源安装结构(3)为筒状结构，筒状结构包括至少三个侧壁，各侧壁均垂直于所述下壁(212)，所述下壁(212)的处于各侧壁之间的部分形成电源安装结构(3)的底壁，所述电源（1）的个数与所述电源安装结构(3)的侧壁的个数相同，且每个侧壁上均设置有一个电源（1），各电源（1）之间串联连接，所述电源安装结构(3)的底壁上设置有第一散热结构(2121)。

8.根据权利要求7所述的半导体激光治疗设备，其特征在于：所述底部壳体(21)的上壁(211)上设置有与所述第一散热结构(2121)上下对应的第二散热结构。