[实用新型]一种太阳能电池及光伏组件有效
申请号: | 202021889597.7 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN213150791U | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 徐琛 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 周娟;王胜利 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 | ||
本实用新型公开一种太阳能电池及光伏组件,涉及太阳电池技术领域,以降低太阳能电池的串联电阻,提高电池效率的同时,简化太阳能电池的制作工艺。该太阳能电池包括多个子电池、电极栅线和两种外接电极。多个子电池包括交替分布的第一子电池和第二子电池。各个第一子电池和各个第二子电池共用同一硅衬底。第一子电池的正极端和第二子电池的负极端位于硅衬底的第一面,第一子电池的负极端和第二子电池的正极端位于硅衬底的第二面。每个第一子电池与相邻第二子电池通过相应电极栅线串联在一起。两种外接电极形成在多个子电池边缘的两个子电池上。所述光伏组件包括上述太阳能电池。本实用新型提供太阳能电池用于光伏组件中。
技术领域
本实用新型涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术
现有技术中,晶硅组件是通过焊接方式将单个太阳电池串联而成。在制作组件过程中,需要通过焊带焊接在主栅上,而焊带会遮挡较多光线,从而造成太阳电池正面因主栅遮光造成电流偏低。
目前,一般将长度2倍于电池边长的焊带一半焊接在太阳电池的正面主栅上,另一半焊带焊接在后面相邻电池片的背面主栅上,依次将若干电池片串联成电池串。该技术导致光伏组件功率降低。为了提高太阳电池组件的功率,可以利用激光将太阳能电池切割成若干个完全独立的切片电池,然后按照前述串焊方式将若干切片电池串联在一起,以降低电池串的电流,减小光伏组件的电阻损失。然而,采用切割太阳能电池的方式,会造成太阳能电池的切割面形成缺陷中心,进而影响太阳电池的效率,并且采用切割太阳能电池的方式,也未减少主栅对太阳能电池受光面光线的遮挡。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池及光伏组件,以降低太阳能电池的串联电阻,提高电池效率的同时,简化太阳能电池的制作工艺。
第一方面,本实用新型提一种太阳能电池。该太阳能电池包括多个子电池。多个子电池包括:交替分布的第一子电池和第二子电池。各个第一子电池和各个第二子电池共用同一硅衬底。硅衬底具有相对的第一面和第二面。每个第一子电池的正极端和每个第二子电池的负极端位于第一面,每个第一子电池的负极端和每个第二子电池的正极端位于第二面。
上述太阳能电池还包括电极栅线。每个第一子电池与相邻的第二子电池通过相应电极栅线串联在一起。当电极栅线位于第一面上,电极栅线的一端形成在第一子电池的正极端上,另一端形成在第一子电池相邻的第二子电池的负极端上。当电极栅线位于第二面上,电极栅线的一端形成在第二子电池的正极端上,另一端形成在第二子电池相邻的第一子电池的负极端上。
上述太阳能电池还包括两种外接电极。两种外接电极形成在位于多个子电池边缘的两个子电池上。
采用上述技术方案的情况下,本实用新型提供的太阳能电池中,各个第一子电池和各个第二子电池共用同一硅衬底,使得各个第一子电池和各个第二子电池集成在同一太阳能电池中。第一子电池的正极端和第二子电池的负极端交替分布在硅衬底的第一面,第一子电池的负极端和第二子电池的正极端交替分布在硅衬底的第二面。此时,可以直接利用电极栅线连接同一侧的第一子电池和相邻的第二子电池所具有的不同极性端,就可以串联各个第一子电池和各个第二子电池,从而简化太阳能电池内各个子电池的互联工艺,避免采用焊带串联各个第一子电池和各个第二子电池所带来的工艺复杂性。
另外,本实用新型提供的太阳能电池中,多个子电池集成在同一硅衬底上,使得该太阳能电池无需经过切割,将多个子电池利用电极栅线串接在一起,以减少遮光面积和串联电阻,提高太阳能电池功率,避免因为切割电池片所导致的太阳能电池效率降低的问题。当采用焊带互联太阳能电池时,可以根据电池含有的子电池的数量不同,调整各个子电池的摆放方式,使得外接电极位于同一侧,使得相邻两个太阳能电池通过焊带互联时,焊带位于相邻两个太阳能电池的同一侧。在此基础上,利用图像采集设备等辅助焊带互联相邻两个太阳能电池,以降低焊带偏移的可能性,提高太阳能电池的互联可操作性。同时,焊带位于相邻两个太阳能电池的同侧,使得焊带无需穿过相邻两个太阳能电池之间的缝隙,从而降低太阳能电池的裂片率和太阳能电池之间的间距,提高光伏组件效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的