[实用新型]一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED

说明书

本实用新型提供一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，自下至上依次包括衬底、缓冲层、n型接触层、有源层、p型电导层和复合金属电极层；n型接触层接引有第一电极；复合金属电极层接引有第二电极；复合金属电极层自下而上依次由高功函数金属薄层、高深紫外反射率金属层和保护金属层。该欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，通过高功函数金属薄层与p型电导层接触，以获得低电阻的欧姆接触；通过在高功函数金属薄层上沉积高深紫外反射率金属层，增强对深紫外光的反射；通过在高深紫外反射率金属层上沉积保护金属层，以防止下层金属氧化，和增加稳定性。该深紫外LED能够获得高的电注入效率，低开启电压，高的背出光效率。

技术领域

本实用新型涉及深紫外LED技术领域，特别涉及一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED。

背景技术

深紫外LED(文中简称UVC-LED)是基于半导体芯片技术的无机产品，光谱窄且集中，具有节能环保、即开即用、体积小、免除维护、寿命长、杀菌效率高等优异特性。深紫外LED的市场潜力和应用前景十分巨大，可以广泛应用在消毒杀菌、水和食品处理、生化检测、信息储存、雷达探测和保密通讯等领域。

深紫外LED结构多样，常见的如专利CN107394022A，公开日2017.11.24，公开的一种基于纳米线结构的高效发光二极管，其包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层、AlGaN/AlGaN多量子阱、p型GaN层和电极。其中多量子阱包括五个周期，Al含量x和y由镓源和铝源的流量控制，以获得不同波长的LED，之后利用金属在高温下的蠕变现象形成金属球作为阻挡层，在量子阱上以均匀间隔刻蚀纳米槽，使p型GaN层镶嵌生长在纳米槽内，以提高p型GaN和量子阱的接触面积，有利于空穴的注入，本发明提高了发光效率，可用于紫外及深紫外发光二极管的制作。

然而，目前深紫外LED大多存在光功率低的问题。主要原因为有很大一部分从有源区发出的光经过内部的多次反射将到达电极区，被电极区吸收而造成极大的浪费。

实用新型内容

为解决背景技术中提到的目前深紫外LED大多存在光功率低的问题，本实用新型提供一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，自下至上依次包括衬底、缓冲层、n型接触层、有源层、p型电导层和复合金属电极层；

所述n型接触层接引有第一电极；所述复合金属电极层接引有第二电极；

所述复合金属电极层自下而上依次由高功函数金属薄层、高深紫外反射率金属层和保护金属层。

进一步地，所述衬底的材质为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化铝或氮化镓。

进一步地，所述缓冲层为中温AlN缓冲层或低温AlN缓冲层。

进一步地，所述n型接触层为n型AlGaN层。

进一步地，所述有源层为多量子阱有源层。

进一步地，所述p型电导层为p型AlGaN层或p型GaN层。

进一步地，所述高功函数金属薄层的材质为Pt、Ni或高功函数导电半导体。

进一步地，所述高功函数金属薄层的厚度小于10nm。

进一步地，所述高深紫外反射率金属层的材质为Al、Rh、Al合金或Rh合金。

进一步地，所述保护金属层的材质为惰性金属；所述惰性金属包括Au和Pt。

进一步地，所述第一电极和所述第二电极的材质为纯金属、合金或非金属导电材料。