[实用新型]一种霍尔元件

权利要求书

1.一种霍尔元件，其特征在于，包括：

衬底；

十字形功能区，形成在所述衬底上，所述十字形功能区的交叉区域具有凹部；

电极层，设置在所述十字形功能区的端部；

钝化层，覆盖所述十字形功能区的暴露区域。

2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述衬底包括半导体单晶衬底。

3.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述衬底包括GaAs衬底、InP衬底或Si衬底。

4.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述十字形功能区包括GaAs、InAs、InSb、InGaAs、或InGaAsP。

5.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述凹部位于所述十字形功能区的顶部。

6.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述凹部的面积等于或小于所述十字形功能区的交叉区域的面积。

7.根据权利要求5所述的霍尔元件，其特征在于：

所述凹部的深度为所述十字形功能区的厚度的10％至90％。

8.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述钝化层包括氧化硅、氧化铝、氮化硅、和/或氮氧化硅。

9.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述电极层包括金属电极。

10.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述十字形功能区包括外延生长层或离子注入层。