[实用新型]一种多芯片封装的集成电路封装结构

说明书

本实用新型公开了一种多芯片封装的集成电路封装结构，包括共面分布的第一基岛、第二基岛和第三基岛以及多个引脚；所述第一基岛朝向第二基岛方向的一侧延伸有第一延伸部，第一基岛上装载有第一芯片；所述第二基岛朝向第三基岛方向的一侧延伸有第二延伸部，第二基岛上装载有第二芯片；所述第三基岛位于第二延伸部的内侧，第三基岛上装载有第三芯片；其中，多个引脚至少包括与第一基岛、第二基岛及第三基岛直连的四个引脚，所述芯片之间、基岛之间以及引脚之间通过键合线电性连接。本发明具有提高封装体的集成度，满足芯片的散热要求，实现产品小型化，节约芯片封装框架的体积的优点。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其是涉及一种多芯片封装的集成电路封装结构。

背景技术

目前随着集成电路生产工艺的发展，越来越多的开关电源转换、LED驱动的控制器芯片采用小线宽工艺，提高集成度增强性能。功率器件则趋向于采用新材料(例如宽禁带半导体)、新颖结构、特殊工艺，使得控制器部分与功率器件部分分开生产，具有成本优势。

然而在产品应用端要求芯片集成度高，从而实现产品小型化，在一个集成电路封装体里装载控制器芯片、功率器件则成为不二选择。比较常见的有引线框架只包含有两个基岛，分别装载功率器件和控制器芯片，不能满足装载一颗控制器芯片加多个功率器件的要求。

实用新型内容

本实用新型的目的旨在提供一种多芯片封装的集成电路封装结构，提高封装体的集成度，满足芯片的散热要求，实现产品小型化，节约芯片封装框架的体积。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的技术方案是：一种多芯片封装的集成电路封装结构，包括共面分布的第一基岛、第二基岛和第三基岛以及多个引脚；所述第一基岛朝向第二基岛方向的一侧延伸有第一延伸部，第一基岛上装载有第一芯片；所述第二基岛朝向第三基岛方向的一侧延伸有第二延伸部，第二基岛上装载有第二芯片；所述第三基岛位于第二延伸部的内侧，第三基岛上装载有第三芯片；其中，多个引脚至少包括与第一基岛、第二基岛及第三基岛直连的四个引脚，所述芯片之间、基岛之间以及引脚之间通过键合线电性连接。

本实用新型采用上述技术方案，在一个封装结构设置三个基岛，将三个芯片集成于一体，提高封装体的集成度，可通过键合线相互电连接，多个引脚可连接外设的PCB板，其中第一延伸部和第二延伸部的设置可便于基岛间的连接，以及扩大第一基岛和第二基岛的面积，提高散热效果。

进一步地，所述第一延伸部和第二延伸部分别位于第二基岛的两侧且相互平行，第二基岛位于第一延伸部的内侧，第三基岛与第二延伸部的内侧。第一基岛和第三基岛之间通过第一延伸部的连接可缩短键合线的长度，而且提高散热效果。

进一步地，多个所述引脚包括与第一基岛直连的第八引脚、与第二延伸部的端部直连的第四引脚以及与第三基岛远离第二延伸部一侧的第五引脚和第六引脚。第一基岛、第二基岛及第三基岛通过直连的第八引脚、第四引脚及第五引脚和第六引脚起到电气连接以及增强热量的传导。

进一步地，多个所述引脚还包括与第一基岛分离设置的第一引脚，第一引脚通过键合线与第一芯片电路连接。第一引脚与第一基岛分离，通过键合线完成电路连接，可用于传输信号。

进一步地，多个所述引脚还包括与第一基岛、第二基岛及第三基岛分离设置的第二引脚、第三引脚及第七引脚，所述第二引脚通过键合线与第一芯片电路连接。

进一步地，所述第一基岛、第二基岛和第三基岛全镀银或边缘环状镀银。通过全镀银或边缘环状镀银，降低电阻，保证芯片接触良好。

进一步地，所述第一芯片为控制器芯片，第二芯片为次功率器件芯片，第三芯片为主功率器件芯片。

进一步地，所述第三芯片包括MOS器件或宽禁带半导体功率器件。

进一步地，所述第二芯片包括二极管、MOS器件或宽禁带半导体功率器件。