[实用新型]高分辨率距离传感器像素结构及距离传感器有效
| 申请号： | 202021920586.0 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN212783453U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 东尚清 | 申请（专利权）人： | 上海大芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01S17/894;G01S17/10;G01S7/4863;G01S7/481 |
| 代理公司： | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人： | 赵祖祥 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高分辨率 距离 传感器 像素 结构 | ||
1.一种高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，所述像素结构为前照式结构，其包括：
多个像素组；
单个所述像素组内包括多个单光子雪崩电路结构、处理电路及浅隔离层；其中，所述处理电路围绕在多个单光子雪崩电路结构外围，相邻的单光子雪崩电路结构之间由所述浅隔离层隔离，所述浅隔离层隔离所述处理电路与单光子雪崩电路结构；
同一像素组内单光子雪崩电路结构共用一DNW或DPW。
2.如权利要求1所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，还包括滤波层，所述滤波层设置在所述像素结构表面。
3.如权利要求1所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，还包括微聚镜，所述微聚镜设置在所述像素结构表面。
4.如权利要求3所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，所述微聚镜设置在一个或者多个像素结构表面。
5.如权利要求1所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，在所述像素结构底部设置一底层反射层。
6.如权利要求5所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，所述底层反射层表面为平面、锯齿状或凹凸不平结构。
7.如权利要求1所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，单个所述像素组内包括直线排列的单光子雪崩电路结构。
8.如权利要求1所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，单个所述像素组内包括矩阵排列的单光子雪崩电路结构。
9.一种距离传感器，其特征在于，采用如权利要求1-8中任一项所述的高分辨率距离传感器像素结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
