[实用新型]一种新型阶梯组合屏蔽结构有效
申请号: | 202021921544.9 | 申请日: | 2020-09-07 |
公开(公告)号: | CN212625135U | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 葛康;唐成;张伟欣;杨丽桓 | 申请(专利权)人: | 葛康 |
主分类号: | H01F27/36 | 分类号: | H01F27/36 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 徐思波 |
地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 阶梯 组合 屏蔽 结构 | ||
本实用新型提供一种新型阶梯组合屏蔽体,包括里层纯导电屏蔽层和表层铁磁屏蔽层,里层纯导电屏蔽层安装于变压器箱体的箱壁外侧,表层铁磁屏蔽层安装于里层纯导电屏蔽层的外侧;里层纯导电屏蔽层的高度大于表层铁磁屏蔽层的高度,里层纯导电屏蔽层的端部相对于表层铁磁屏蔽层的端部上下突出,形成阶梯式结构。本实用新型的新型阶梯组合屏蔽结构相对同尺寸现有的电磁屏蔽方案,能在保证屏蔽效果的同时,有效减小变压器箱体局部磁密峰值,降低箱体局部温升,延长变压器使用寿命。屏蔽体尺寸不同,优化效果不同。
技术领域
本实用新型属于电气工程技术领域,具体涉及一种新型阶梯组合屏蔽结构。
背景技术
大容量油浸式变压器的箱体涡流损耗影响变压器的运行效率及使用寿命,为降低箱体涡流损耗,第一种传统方案是在箱体内壁敷设合适尺寸的铁磁体,为漏磁场提供低磁阻导通路径,但是该方法容易在屏蔽体端部产生箱体局部热点(O点),如图1所示。
第二种传统方案是在箱体内壁敷设合适尺寸的纯导电屏蔽层(如:铝板),通过在屏蔽体内感应涡流从而抑制漏磁场进入箱体,该方案相对同尺寸磁屏蔽虽然能缓解箱体局部过热,但是屏蔽效果较差,漏磁场可以穿透屏蔽层直接进入箱体,涡流损耗较大,如图2所示。
为解决箱体局部过热问题,文献《组合屏蔽层对电力变压器杂散损耗的影响》提出了在纯导电屏蔽层表面敷设一层铁磁材料的结构,并通过有限元仿真验证了该方法的有效性,但是由于表层铁磁层与里层纯导电层等高,依然有部分漏磁场集中于屏蔽体端部,产生局部热点(P点),如图3所示。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决油浸式变压器箱体局部过热的问题,提供一种新型阶梯组合屏蔽结构,能在保证屏蔽效果的同时,达到进一步降低箱体局部温升的目的,同时还能节省屏蔽材料,减轻变压器整体重量。
为解决上述技术问题,本实用新型的实施例提供一种新型阶梯组合屏蔽体,包括里层纯导电屏蔽层和表层铁磁屏蔽层,所述里层纯导电屏蔽层安装于变压器箱体的箱壁外侧,所述表层铁磁屏蔽层安装于里层纯导电屏蔽层的外侧;
所述里层纯导电屏蔽层的高度大于表层铁磁屏蔽层的高度,所述里层纯导电屏蔽层的端部相对于表层铁磁屏蔽层的端部上下突出,形成阶梯式结构。
其中,所述里层纯导电屏蔽层两端与表层铁磁屏蔽层两端的阶梯高度差相同。
其中,所述里层纯导电屏蔽层的厚度大于表层铁磁屏蔽层的厚度。
其中,所述变压器箱体的箱壁外侧设有多组新型阶梯组合屏蔽体。
进一步,相邻两组新型阶梯组合屏蔽体之间的间距为25-35mm。
优选的,所述表层铁磁屏蔽层的高度h为2800-2860mm,所述里层纯导电屏蔽层的高度H为2950-3150mm,阶梯高度差k为70-150mm。
所述表层铁磁屏蔽层的厚度N为1-3mm,所述里层纯导电屏蔽层的厚度M为12-15mm。
所述里层纯导电屏蔽层和表层铁磁屏蔽层的宽度相同。优选的,所述里层纯导电屏蔽层的宽度D为300-350mm。
本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:本实用新型的新型阶梯组合屏蔽结构相对同尺寸现有的电磁屏蔽方案,能在保证屏蔽效果的同时,有效减小变压器箱体局部磁密峰值,降低箱体局部温升,延长变压器使用寿命。屏蔽体尺寸不同,优化效果不同。
附图说明
图1为本实用新型背景技术中磁屏蔽的漏磁场示意图;
图2为本实用新型背景技术中电屏蔽的漏磁场示意图;
图3为本实用新型背景技术中非阶梯式组合屏蔽的漏磁场示意图;
图4为本实用新型的主视图;
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