[实用新型]高分辨率距离传感器像素结构及距离传感器

权利要求书

1.一种高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，所述像素结构包括正面和背面，且其为后照式结构，其包括：

多个像素组；

单个所述像素组内包括多个单光子雪崩电路结构、处理电路及隔离层；

其中，在所述像素结构正面，所述处理电路围绕在多个单光子雪崩电路结构外围，相邻的单光子雪崩电路结构顶部之间由所述隔离层隔离，所述隔离层隔离所述处理电路与单光子雪崩电路结构；在所述像素组结构背面，相邻的单光子雪崩电路结构底部之间及外围由所述隔离层隔离；

同一像素组内单光子雪崩电路结构共用一DNW或DPW。

2.如权利要求1所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，所述隔离层为完全深度隔离层。

3.如权利要求1所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，所述隔离层包括浅隔离层和深隔离层；相邻的单光子雪崩电路结构顶部之间由所述浅隔离层隔离，所述浅隔离层隔离所述处理电路与单光子雪崩电路结构；在所述像素组结构背面，相邻的单光子雪崩电路结构底部之间及外围由所述深隔离层隔离。

4.如权利要求1所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，还包括连接电路，所述连接电路形成在所述像素结构的正面。

5.如权利要求4所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，所述连接电路在所述单光子雪崩电路结构正面的构成桶状反射结构。

6.如权利要求4或5所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，所述连接电路包括接触层、层间金属层、导电通孔层及顶层金属层，所述层间金属层及顶层金属层之间通过所述导电通孔层连接，底部的层间金属层通过所述接触层形成于所述像素结构的正面，所述顶层金属层连接同一像素组内所有顶部的导电通孔层。

7.如权利要求1所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，还包括滤波层，所述滤波层设置在所述像素组结构背面。

8.如权利要求7所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，还包括微聚镜，所述微聚镜直接设置在所述像素结构背面或所述微聚镜设置在所述滤波层表面；所述微聚镜覆盖在一个或者多个像素结构。

9.如权利要求1所述的高分辨率距离传感器像素结构，其特征在于，单个所述像素组内包括直线排列的单光子雪崩电路结构或单个所述像素组内包括矩阵排列的单光子雪崩电路结构。

10.一种距离传感器，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的高分辨率距离传感器像素结构。