[实用新型]集成电路穿管辅助装置有效
申请号: | 202021927867.9 | 申请日: | 2020-09-07 |
公开(公告)号: | CN212648196U | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 艾丽丽 | 申请(专利权)人: | 苏州日月新半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 辅助 装置 | ||
1.一种集成电路穿管辅助装置,其特征在于,包括:
底槽,包括相邻设置的导流区和对接区,所述导流区包括导流平面部与自所述导流平面部延伸向下的导流沟槽部,所述对接区包括对接平面部与自所述对接平面部延伸向下的对接沟槽部。
2.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述导流平面部的位置高于所述对接平面部的位置。
3.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述导流平面部的宽度大于所述对接平面部的宽度。
4.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述对接沟槽部的宽度大于所述导流沟槽部的宽度。
5.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述对接沟槽部的沟槽底部的位置低于所述导流沟槽部的沟槽底部的位置。
6.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述对接区包括自所述对接沟槽部的两侧向上延伸的上挡板结构。
7.如权利要求6所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述上挡板结构、所述对接平面部以及所述对接沟槽部所包围的区域形状为倒凹形。
8.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述导流区在相对于所述对接区的一侧包括挡板结构。
9.如权利要求8所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述挡板结构包括通孔,所述集成电路穿管辅助装置还包括:
推杆,所述推杆通过所述通孔并朝所述对接区延伸。
10.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述底槽包括铝。
11.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述导流平面部的宽度在3~15mm的范围。
12.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述导流平面部的宽度是8mm。
13.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述对接平面部的宽度在3~15mm的范围。
14.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述对接平面部的宽度是8mm。
15.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述导流沟槽部的宽度在2~10mm的范围。
16.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述导流沟槽部的宽度是6mm。
17.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述对接沟槽部的宽度在3~15mm的范围。
18.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述对接沟槽部的宽度是6mm。
19.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述导流沟槽部自所述导流平面部向下延伸的高度在5~17mm的范围。
20.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,述导流沟槽部自所述导流平面部向下延伸的高度是10mm。
21.如权利要求1所述的集成电路穿管辅助装置,其特征在于,所述对接沟槽部自所述对接平面部向下延伸的高度在5~17mm的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州日月新半导体有限公司,未经苏州日月新半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021927867.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造