[实用新型]防污抗沾黏保护镀膜

说明书

本实用新型提供一种防污抗沾黏保护镀膜，其结构包括：一接口层、一反射层、复数个第一覆层、以及复数个第二覆层。本实用新型之防污抗沾黏保护镀膜具有良好防污以及抗沾黏能力，是以能够被应用在光电及半导体产业的黄光曝光制程的光罩传送盒中，例如：深紫外(DUV)曝光制程、极紫外(EUV)曝光制程、沉浸式曝光制程、多重曝光制程，该防污抗沾黏保护镀膜用于保护上述任一种黄光曝光应用之光罩传送盒并确保黄光制程之良率。

技术领域

本实用新型是关于光电及半导体例如IC制造、液晶显示面板、发光二极管、微机电、太阳能板、电子纸等产业需要保持高洁净度之制程，特别是黄光制程之技术领域，尤指应用于各式任一种光电及半导体产业黄光曝光制程的光罩传送盒的一种防污抗沾黏保护镀膜及该保护镀膜于提升黄光曝光制程之良率之用途。

背景技术

光电及半导体产业的微影制程利用光罩投影于光阻上进行曝光显影，被光线照射到的区域会产生化学反应并改变成一种感光剂，这些感光剂能被显影剂冲洗掉而达到曝光的效果，显影完后光阻上就会形成与光罩相同的图案，之后借着蚀刻制程来将电路微缩成非常小的图案。

由于光电及半导体产业技术的持续演进，已经逐渐逼进光学分辨率的极限极限，由于光罩上的线宽设计逐渐缩小，且线与线之间的距离(简称间距) 也逐渐缩短，在光罩本体的防污抗沾黏保护特性越来越重要，光罩上的任何一点污染物，都会让干涉及绕射现象大幅改变，而影响光阻上成像的质量。

为了提升黄光曝光制程之良率，习知技术通常会在光罩传送盒100表面覆上一层金属镀膜阻绝层(请参阅图1，图1所绘示为习知的一种光罩传送盒 100的立体分解图)。使其洁净度免于受到空气微尘污染，但在光罩线宽设计逐渐缩小，且线与线之间的距离逐渐缩短之下，该金属镀膜阻绝层的防尘能力已经无法完全达到要求效果。

由上述说明可知，如何在光罩传送盒上设计出更高规格的之防污抗沾黏保护镀膜于是成为业界之主要课题。实际上空气微尘因体积小、重量轻，极易吸收金属镀膜表面反射之光线而产生远离金属表面之驱动力，减少微尘之吸附，此乃习知技术之原理。如能增加基材表面之反射效率，应可进一步减少微尘之吸附量。此外静电效应也是导致微尘吸附于基材表面之一重要因素，由于黄光制程所产生之微尘多半属于高分子介电材料，极易累积电荷于微尘上，产生静电效应，而习知技术金属层之导电性佳，表面不易累积电荷，反而让这些带电高分子微尘容易吸附，如能在基材表面上亦形成一带有与高分子微尘相同电荷之阻绝层，根据同性相斥之原理，必可进一步降低微尘之吸附，达到更好的抗污效果。有鉴于此，本案之发明人是极力加以研究发明，而研发完成本实用新型的一种防污抗沾黏保护镀膜于光罩传送盒以确保黄光曝光制程之良率之用途。

实用新型内容

本实用新型之主要目的在于任一种光电及半导体产业黄光曝光制程的光罩传送盒上提供一种防污抗沾黏保护镀膜，其具有良好防污以及抗沾黏能力，是以能够被应用在任一种黄光曝光制程之中，例如：深紫外(DUV)曝光制程、极紫外(EUV)、沉浸式曝光制程、多重曝光制程，用于提升上述任一种黄光曝光制程之良率。

为了达成上述本实用新型之主要目的，本案发明人是提供所述防污抗沾黏保护镀膜之一实施例，其用以镀覆于一基材之上，且包括：

一反射层，形成于该接口层之上；及

至少一覆层形成于该反射层之上，该覆层可增加该反射层之反射率。且该覆层为不导电之介电层，其表面容易累积与微尘相同电荷之静电，可防止带静电之微尘吸附于基材上。

该覆层还可包含一第一覆层，形成于该反射层之上；以及一第二覆层形成于该第一覆层上，在一较佳之情况，可将该覆层重复堆栈使该覆层总层数至少为三，如此，形成一第一覆层与第二覆层相互交迭之覆层结构。进一步增加其反射率。

于前述本实用新型之防污抗沾黏保护镀膜的实施例中，是以能够被应用在光电及半导体产业的黄光曝光制程的光罩传送盒中，如：深紫外(DUV)曝光制程、极紫外(EUV)、沉浸式曝光制程、多重曝光制程。