[实用新型]一种掩膜版

权利要求书

1.一种掩膜版，用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层，所述异质结非晶硅层包括横向呈叉指状排列的P区和N区，其中，所述P区与所述N区之间的间隔区为G区，其特征在于，所述掩膜版包括：板体，所述板体上设有开口，所述开口上方设有多个横向间隔排列的遮挡件，多个所述遮挡件可相对所述板体横向移动，每一所述遮挡件包括第一遮挡件和容置于所述第一遮挡件内的第二遮挡件，所述第二遮挡件可横向伸出所述第一遮挡件，所述第一遮挡件用于遮挡所述N区、及与所述N区相邻的G区，所述第一遮挡件和伸出所述第一遮挡件的所述第二遮挡件共同用于遮挡所述P区、及与所述P区相邻的G区。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一遮挡件的宽度等于所述N区的宽度和与所述N区相邻的G区的宽度之和；所述第二遮挡件伸出所述第一遮挡件的宽度和所述第一遮挡件的宽度之和等于所述P区的宽度和与所述P区相邻的G区的宽度之和。

3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，多个所述第一遮挡件依次连接，多个所述第二遮挡件依次连接。

4.根据权利要求1～3任一所述的掩膜版，其特征在于，所述板体上所述开口的两相对外侧分别设有横向支架，所述横向支架上设有横向移动槽，所述遮挡件的两侧分别置于两所述横向移动槽上。

5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一遮挡件包括第一遮挡板，所述第一遮挡板内设有容置腔，所述容置腔至少穿透所述第一遮挡板的其中一侧壁，所述第二遮挡件包括可容置于所述容置腔内的第二遮挡板，所述第二遮挡板可从所述第一遮挡板的被穿透一侧伸出。

6.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述第一遮挡板包括位于所述开口正上方的第一遮挡部和位于所述第一遮挡部两侧的第一侧部，同一侧的多个所述第一侧部通过多个第一连接杆依次连接；

所述第二遮挡板包括位于所述开口正上方的第二遮挡部和位于所述第二遮挡部两侧的第二侧部，同一侧的多个所述第二侧部通过多个第二连接杆依次连接。

7.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，还包括呈U型的第一把手和第二把手，所述第一把手的两端分别与最外侧的所述第一遮挡板的两所述第一侧部连接；所述第二把手的两端分别与最外侧的所述第二遮挡板的两所述第二侧部连接。

8.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述第一把手和所述第二把手分别位于所述板体的两侧。

9.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述第一把手与所述第一侧部可拆卸连接，所述第二把手与所述第二侧部可拆卸连接。