[实用新型]一种用来在衬底上沉积半导体材料的装置

权利要求书

1.一种用来在衬底上沉积半导体材料的装置，其特征在于：包含：

被加热的升华管；

用于供应流过升华管元件的半导体材料的原料仓；

以及用于将衬底传送到升华管元件附近的样品传送器，以便蒸汽在衬底上沉积形成半导体层。

2.按照权利要求1所述的用来在衬底上沉积半导体材料的装置，其特征在于：其中被加热的升华管元件为细长管形状，将材料供应源产生的半导体蒸汽引入，以便以高温蒸汽的形式从升华管的孔洞中喷出，使得蒸汽形成半导体层沉积在衬底上。

3.按照权利要求2所述的用来在衬底上沉积半导体材料的装置，其特征在于：其中升华管元件由可通电加热、且具有导热性能的固体材料制成，具有单侧开口，开口形式可以是但不限于密排孔或缝隙，开口形式为密排孔时，孔洞与孔洞之间具有变化的尺寸。

4.按照权利要求1或2所述的用来在衬底上沉积半导体材料的装置，其特征在于：其中原料容器位于腔室外部，通过给料器装置将半导体材料引入坩埚原料仓，坩埚原料仓位于升华管的两端，以漏斗形坩埚元件的形式与升华管元件联通，坩埚原料仓可通电加热或用线圈辅助加热。

5.按照权利要求1或2所述的用来在衬底上沉积半导体材料的装置，其特征在于：其中样品传送器包括由电机控制的可移动样品台元件和提供移动支撑的丝杠元件，衬底通过传送器从升华管具有开口的一侧移动通过。

6.按照权利要求1所述的用来在衬底上沉积半导体材料的装置，其特征在于：其衬底及附带的传送装置可以位于升华管的不同方向，当衬底及附带的传送装置位于升华管的下方时，样品传送的方向为水平方向，此时升华管的开口方向向下；当衬底及附带的传送装置位于升华管的上方时，样品传送的方向为水平方向，此时升华管的开口方向向上；当衬底及附带的传送装置位于升华管的侧方水平方向移动、升华管的方向为垂直方向时，升华管的开口为面向衬底的侧方；当衬底及附带的传送装置位于升华管的侧方沿上下方向移动、升华管的方向为水平方向时，升华管的开口为面向衬底的侧方。