[实用新型]一种用于多晶熔铸炉的石墨坩埚盖板

说明书

本实用新型公开了一种用于多晶熔铸炉的石墨坩埚盖板，其包括上盖板、下盖板以及若干侧压块，上盖板上设进气孔，下盖板上设置有多个环形凸起，所述多个环形凸起中的最外侧环形凸起为完整的环形凸起，而最外侧环形凸起内侧的其他环形凸起上均匀设置有若干将环形凸起打断的横向连通孔；环形凸起之间以及环形凸起外侧对应的下盖板面上均匀成型有气孔；所述侧压块在外侧对上盖板、下盖板进行相对位置固定，且上盖板和下盖板通过侧压块固定后的板间间距大于等于环形凸起的高度，并在所述侧压块底部设置有用于卡装石墨侧护板的U型卡槽。本实用新型的石墨坩埚盖板具有较佳的结构稳定性，能够降低硅锭中碳杂质的引入，提高硅片转换效率。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅铸锭设备领域，具体涉及一种用于多晶熔铸炉的石墨坩埚盖板。

背景技术

在现有技术中，随着光伏技术以及微电子技术的发展，市场对多晶硅的需求日益提升，目前多晶硅锭一般采用多晶铸锭炉进行制备，操作时，包括将坩埚喷涂后进行装填料，再将装填好的坩埚放置于石墨底板上，其外侧通过石墨侧护板进行限位固定，再安装用于多晶熔铸炉的石墨坩埚盖板，在硅锭热成型过程中、用于多晶熔铸炉的石墨坩埚盖板起导热、传热作用，与此同时用于多晶熔铸炉的石墨坩埚盖板还能防止杂质落入石英坩埚内部污染硅料而产生不合格的产品。

现有用于生产多晶硅太阳能电池的多晶硅片多采用定向凝固多晶铸锭炉制备，直接由惰性气体垂直吹进硅锭表面来维持稳定的温度梯度，以进行辅助成型。但现有的用于多晶熔铸炉的石墨坩埚盖板通常为密封型的平板结构，不利于氩气气流的循环，同时结构简单且稳定性差。在实用新型专利：多晶石墨盖板及多晶炉(ZL201721141838.8)中提供了一种双层的石墨盖板结构，这种石墨盖板结构能优化惰性气体吹入的均匀性，使得惰性气体在经过双层板结构后更稳定和均匀地吹扫空间中的杂质，并将杂质随惰性气体由进气孔流出；但是这种石墨坩埚盖板的惰性气体吹入的均匀性依然较差；且由于下层盖板在下部是通过石墨侧护板支撑，并在石墨侧护板位置上部通过板框压合固定，导致下层盖板的中间部分稳定性差，在长时间连续使用的条件下，容易因为受到硅蒸汽的热冲击而塌陷变形并出现裂纹，导致盖板报废，从而增加多晶铸锭辅材成本。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题在于提供一种用于多晶熔铸炉的石墨坩埚盖板，以解决上述技术背景中的缺陷。

本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

一种用于多晶熔铸炉的石墨坩埚盖板，包括上盖板、下盖板以及若干侧压块，所述上盖板在中间位置设置有进气孔，所述下盖板的上表面成型有若干同心设置的环形凸起，所述环形凸起中的最外侧环形凸起为完整的环形凸起，对应设置于坩埚内径轮廓线向内20-50cm位置，而在最外侧环形凸起内侧的其他环形凸起上均匀设置有若干将环形凸起打断的横向连通孔；下盖板在对应最内侧环形凸起的外侧表面上均匀成型有气孔；所述侧压块设置于上盖板、下盖板外侧，对上盖板、下盖板进行相对位置固定，上盖板和下盖板通过侧压块固定后的板间间距大于等于环形凸起的高度，所述侧压块底部设置有用于卡装石墨侧护板的U型卡槽。

作为进一步限定，所述侧压块的内侧侧面上成型有用于卡装上盖板的上盖板卡装槽以及卡装下盖板的下盖板卡装槽，所述上盖板卡装槽与所述下盖板卡装槽之间的间距与环形凸起的高度一致；

所述侧压块上设置有一个竖向螺纹槽，所述螺纹槽贯穿上盖板卡装槽以及下盖板卡装槽，以通过穿装石墨螺栓来对上盖板、下盖板以及侧压块进行位置固定。

作为进一步限定，位置相邻的环形凸起上的横向连通孔错位设置。

作为进一步限定，位置相邻的侧压块之间等间距设置，且位置相邻的侧压块之间的间距为15-30cm。

作为进一步限定，所述下盖板的上表面上成型有内凹弧面，而同心设置的所述环形凸起成型于所述内凹弧面内。

作为进一步限定，所述进气孔的直径为10cm-15cm。