[实用新型]级联电路及级联器件

权利要求书

1.一种级联电路，其特征在于，所述级联电路包括：

低压增强型器件及高压耗尽型器件，所述低压增强型器件和高压耗尽型器件分别包括栅极、源极及漏极，且所述低压增强型器件的漏极与高压耗尽型器件的源极电性连接，作为级联电路的中间电极，低压增强型器件的源极与高压耗尽型器的栅极电性连接，作为级联电路的源极，低压增强型器件的栅极作为级联电路的栅极，高压耗尽型器件的漏极作为级联电路的漏极；

电容及电阻，并联设置且分别电性连接于级联电路的中间电极与级联电路的源极之间，以抑制级联电路开关过程中中间电极的电压漂移和/或降低级联结构关断时刻中间电极的电压值。

2.根据权利要求1所述的级联电路，其特征在于，所述电容为金属-绝缘层-金属结构的电容。

3.根据权利要求1所述的级联电路，其特征在于，所述低压增强型器件为Ⅲ族氮化物低压增强型器件，高压耗尽型器件为Ⅲ族氮化物高压耗尽型器件。

4.根据权利要求3所述的级联电路，其特征在于，所述低压增强型器件为基于氮化镓/铝镓氮异质结的低压增强型器件，高压耗尽型器件为基于氮化镓/铝镓氮异质结的氮化镓高压耗尽型器件。

5.一种级联器件，其特征在于，所述级联器件包括衬底、位于衬底上的外延结构、位于外延结构上的若干钝化层及若干电极，所述外延结构包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层，所述外延结构上设有增强区域及耗尽区域，所述电极包括位于外延结构上的源极、漏极和中间电极、位于增强区域上且位于源极和中间电极之间的第一栅极、及位于耗尽区域上且位于中间电极和漏极之间的第二栅极，第二栅极与源极电性连接，所述源极、漏极、第一栅极分别作为级联器件的源极、漏极和栅极，所述外延结构上还包括电容及电阻，电阻及电容的两端分别与源极和中间电极电性连接。

6.根据权利要求5所述的级联器件，其特征在于，所述钝化层包括：

第一钝化层，位于外延结构及源极、漏极和中间电极上方；

第二钝化层，位于第一钝化层上方，且第二钝化层的厚度小于第一钝化层的厚度；

若干第三钝化层，位于第二钝化层及第一栅极和第二栅极上方。

7.根据权利要求6所述的级联器件，其特征在于，所述第一钝化层为氮化硅层或氧化硅层中的一种或多种的组合，厚度为50nm～250nm。

8.根据权利要求6所述的级联器件，其特征在于，所述第二钝化层为氮化硅层、氧化铝层、氧化硅层中的一种或多种的组合，厚度为10nm～100nm。

9.根据权利要求6所述的级联器件，其特征在于，所述第三钝化层为氮化硅层或氧化硅层中的一种或多种的组合，每层厚度为50nm～1000nm。

10.根据权利要求5所述的级联器件，其特征在于，所述电阻位于钝化层上方，电阻的两端分别通过若干导电柱与源极和中间电极电性连接。

11.根据权利要求10所述的级联器件，其特征在于，所述电阻为TaN金属电阻。

12.根据权利要求6所述的级联器件，其特征在于，所述电容为金属-绝缘层-金属结构的电容，所述电容包括第一金属层、第二金属层及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，所述第一金属层为中间电极或与中间电极电性连接的金属层，第二金属层为第二栅极或与第二栅极电性连接的金属层，绝缘层为第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层中的一种或多种的组合。

13.根据权利要求12所述的级联器件，其特征在于，所述第一金属层为中间电极，第二金属层为第二栅极，绝缘层为第二钝化层，或，第一金属层为中间电极、第二金属层为与第二栅极电性连接的金属层，绝缘层为第三钝化层中的任意一层。