[实用新型]扇出型晶圆级封装结构有效
申请号: | 202021943526.0 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN212542410U | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 赵海霖 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;G03F7/20 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 贺妮妮 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扇出型晶圆级 封装 结构 | ||
1.一种扇出型晶圆级封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
两片以上具有焊垫的半导体芯片,所述半导体芯片排布为扇出型晶圆阵列,每个所述半导体芯片具有各自的初始位置;
塑封层,覆盖所述半导体芯片表面及各所述半导体芯片之间,每个所述半导体芯片具有塑封后各自的偏移位置,所述偏移位置相对于所述初始位置具有偏移距离;
重新布线层,形成于所述半导体芯片上,以实现各半导体芯片之间的互连,所述重新布线层至少包括一层第一重新布线层,所述第一重新布线层形成于所述半导体芯片的表面上,且与所述半导体芯片的所述焊垫对齐连接;
金属凸块,形成于所述重新布线层上。
2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构,其特征在于:所述重新布线层包括图形化的介质层及图形化的金属布线层。
3.根据权利要求2所述的扇出型晶圆级封装结构,其特征在于:所述图形化的介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一种,所述图形化的金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种。
4.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构,其特征在于:所述塑封层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
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