[实用新型]距离传感器像素阵列结构及距离传感器有效
| 申请号： | 202021947951.7 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN213124441U | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 东尚清 | 申请（专利权）人： | 上海大芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01S7/481;G01S7/4865;G01S17/08 |
| 代理公司： | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人： | 王仙子 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 距离 传感器 像素 阵列 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种距离传感器像素阵列结构，其特征在于，包括：
呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括单光子雪崩二极管，相邻所述像素单元分时工作，还设置有多个滤光片，每个所述滤光片对应设置在每个像素单元上，至少部分所述滤光片为不同波长的滤光片。
2.如权利要求1所述的距离传感器像素阵列结构，其特征在于，相邻i行j列的像素单元构成一组像素单元，所述的距离传感器像素阵列结构包括所述多组像素单元。
3.如权利要求1所述的距离传感器像素阵列结构，其特征在于，相邻所述像素单元之间设置有完全金属隔离结构。
4.一种距离传感器，其特征在于，包括如权利要求1-3中任意一项所述的距离传感器像素阵列结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大芯半导体有限公司，未经上海大芯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021947951.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
