[实用新型]太阳电池及电池组件

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：N型硅基底、发射极层、金属氧化物钝化层、氧化铝界面层、铝电极以及第一电极；所述金属氧化物钝化层中的金属的氧亲和力小于铝的氧亲和力；

所述第一电极位于所述发射极层上；

所述金属氧化物钝化层、所述铝电极层叠设置，所述金属氧化物钝化层与所述铝电极发生氧化还原化学反应后，生成位于两者之间的所述氧化铝界面层；

所述发射极层和所述金属氧化物钝化层两者中的一个位于所述N型硅基底的向光面，另一个位于所述N型硅基底的背光面；或，所述发射极层和所述金属氧化物钝化层分别位于所述N型硅基底的背光面的第一区域和第二区域。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述金属氧化物钝化层选自：氧化钛层、氧化铬层、氧化镓层、氧化锌层中的至少一层。

3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，在所述发射极层和所述金属氧化物钝化层两者中的一个位于所述N型硅基底的向光面，另一个位于所述N型硅基底的背光面，且所述金属氧化物钝化层位于所述N型硅基底的背光面的情况下，所述铝电极覆盖所述金属氧化物钝化层的整个背光面。

4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述金属氧化物钝化层的厚度为1nm-20nm。

5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，还包括：钝化掩膜层；所述钝化掩膜层与所述金属氧化物钝化层位于所述N型硅基底的同一侧；所述钝化掩膜层具有至少一个开孔；

所述金属氧化物钝化层、所述氧化铝界面层、所述铝电极填充在所述开孔中，所述钝化掩膜层中靠近所述N型硅基底的第一表面，与所述金属氧化物钝化层中靠近所述N型硅基底的第二表面平齐，或，所述第一表面比所述第二表面靠近所述N型硅基底；

所述钝化掩膜层具有与所述第一表面相对的第三表面；所述铝电极从所述开孔中，向所述第三表面延伸出来形成一个整体。

6.根据权利要求5所述的太阳电池，其特征在于，所述金属氧化物钝化层、所述氧化铝界面层、所述铝电极三者覆盖所述钝化掩膜层中未开孔的部分；

或，所述铝电极覆盖所述钝化掩膜层中未开孔的部分。

7.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，还包括：银电极，所述银电极与所述铝电极层叠设置，且所述银电极远离所述N型硅基底。

8.根据权利要求1-6中任一所述的太阳电池，其特征在于，还包括：靠近所述N型硅基底，且与所述第一电极接触的局域重掺层；

所述局域重掺层的掺杂类型与所述发射极层的掺杂类型相同。

9.根据权利要求1-6中任一所述的太阳电池，其特征在于，还包括：位于所述金属氧化物钝化层与所述N型硅基底之间的隧穿层；所述隧穿层为氧化硅层；所述隧穿层的厚度为0.5nm-3nm。

10.一种电池组件，其特征在于，包括：权利要求1-9中任一所述的太阳电池。