[实用新型]碳化硅肖特基半导体器件有效
| 申请号： | 202021961880.6 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN212625590U | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 林苡任;史波;陈道坤;曾丹 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;朱明明 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基 半导体器件 | ||
1.一种碳化硅肖特基半导体器件，其特征在于，包括若干个的元胞结构，所述元胞结构包括：
第一电子型半导体层；
第二电子型半导体层，设置在所述第一电子型半导体层的上表面上；
第一空穴型半导体层，设置在所述第一电子型半导体层的上表面上并与所述第二电子型半导体层邻接；
第二空穴型半导体层，设置在所述第一空穴型半导体层的上表面上并与所述第二电子型半导体层邻接；
阳电极层，包括设置在所述第二电子型半导体层上的第一阳极结构，以及设置在所述第二空穴型半导体层上且与所述第一阳极结构相分开的第二阳极结构，其中所述第一阳极结构与所述第二电子型半导体层及所述第二阳极结构与所述第二空穴型半导体层之间均进行肖特基接触；
阴电极层，设置在所述第一电子型半导体层的下表面上并与所述第一电子型半导体层进行欧姆接触；
其中，所述第一电子型半导体层的掺杂浓度大于所述第二电子型半导体层的掺杂浓度，所述第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于所述第二空穴型半导体层的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基半导体器件，其特征在于，所述第一空穴型半导体层的掺杂浓度为1e14-1e15cm-3，其厚度为5-6μm。
3.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基半导体器件，其特征在于，所述第二空穴型半导体层的掺杂浓度为1e19-1e21cm-3，其厚度为0.8-1.1μm。
4.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基半导体器件，其特征在于，所述第一电子型半导体层的掺杂浓度为1e20-1e21cm-3，其厚度为2-3μm。
5.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基半导体器件，其特征在于，所述第二电子型半导体层的掺杂浓度为1e15-1e16cm-3，其厚度为3-4μm。
6.根据权利要求1到5任一项所述的碳化硅肖特基半导体器件，其特征在于，所述第一空穴型半导体层与所述第二空穴型半导体层的接触面为弧形。
7.根据权利要求1到5任一项所述的碳化硅肖特基半导体器件，其特征在于，所述阴电极层、第一阳极结构和第二阳极结构的材料皆包括钛、镍和/或银，所述阴电极层的厚度为4-5μm、所述第一阳极结构的厚度为4-5μm，所述第二阳极结构的厚度为4-5μm。
8.根据权利要求1到5任一项所述的碳化硅肖特基半导体器件，其特征在于，所述第一电子型半导体层和第二电子型半导体层皆由N型碳化硅半导体材料形成，所述第一空穴型半导体层和第二空穴型半导体层皆由P型碳化硅半导体材料形成。
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