[实用新型]坩埚组件

说明书

本实用新型公开了一种坩埚组件，包括第一坩埚、第二坩埚和第三坩埚，第一坩埚内限定出盛放空间，第二坩埚设在盛放空间内且与第一坩埚共同限定出第一腔室，第三坩埚设在第二坩埚内且与第二坩埚共同限定出第二腔室，第三坩埚内限定出第三腔室。其中，第二坩埚上形成有第一连通孔以连通第一腔室和第二腔室，第一连通孔形成在第二坩埚的底部且邻近第二坩埚的R角设置，第三坩埚上形成有第二连通孔以连通第二腔室和第三腔室，第一腔室适于构造成下料区，第三腔室适于构造成晶体生长区。根据本实用新型的坩埚组件，有利于提升熔汤的均匀性，避免出现杂质击中，且便于保证生产稳定，具有良好的成晶率。

技术领域

本实用新型涉及晶体加工设备技术领域，尤其是涉及一种坩埚组件。

背景技术

相关技术中，采用CCZ(连续提拉法)生产单晶硅通常采用双层坩埚或石英环将熔料区与长晶区隔开。然而，这种方式仍存在熔料区域长晶区熔汤不够均匀的问题，且易导致杂质击中，影响晶棒的品质。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种坩埚组件，所述坩埚组件有利于提升熔汤的均匀性，避免出现杂质击中，且便于保证生产稳定，具有良好的成晶率。

根据本实用新型的坩埚组件，包括：第一坩埚，所述第一坩埚内限定出盛放空间，所述盛放空间的顶侧敞开设置；第二坩埚，所述第二坩埚设在所述盛放空间内且与所述第一坩埚共同限定出第一腔室；第三坩埚，所述第三坩埚设在所述第二坩埚内且与所述第二坩埚共同限定出第二腔室，所述第三坩埚内限定出第三腔室，其中，所述第二坩埚上形成有第一连通孔以连通所述第一腔室和所述第二腔室，所述第一连通孔形成在所述第二坩埚的底部且邻近所述第二坩埚的R角设置，所述第三坩埚上形成有第二连通孔以连通所述第二腔室和所述第三腔室，所述第一腔室适于构造成下料区，所述第三腔室适于构造成晶体生长区。

根据本实用新型的坩埚组件，通过设置坩埚组件包括第一坩埚、第二坩埚和第三坩埚，并使得第二坩埚与第一坩埚共同限定出的第一腔室适于构造成下料区，第三坩埚内的第三腔室适于构造成晶体生长区，有利于提升第三腔室内熔汤的均匀性，避免出现杂质击中，同时加料过程中液面稳定，有利于保证晶棒稳定生长，便于提升生产出的晶棒的品质；通过设置第一连通孔形成在第二坩埚的底部且邻近第二坩埚的R角设置，可以避免未完全熔化的颗粒料进入第三腔室，从而保证了成晶率。

在一些实施例中，所述第一连通孔的孔径为d₁，所述第二连通孔的孔径为d₂，d₁、d₂满足：d₁＜d₂。

在一些实施例中，所述第一连通孔为多个，多个第一连通孔包括第一进料孔和第二进料孔，所述第二进料孔位于所述第一进料孔的上方。

在一些实施例中，所述第二连通孔形成在所述第三坩埚的远离所述第一连通孔的一侧。

在一些实施例中，所述第一坩埚包括第一本体，所述第二坩埚包括第二本体，所述第三坩埚包括第三本体，所述第一本体、所述第二本体和所述第三本体均形成为圆筒结构，所述第一本体、所述第二本体和所述第三本体由外向内依次设置且同轴设置，所述第一本体的直径D₁、所述第二本体的直径D₂和所述第三本体的直径D₃满足：D_n+1＝D_n*X_n，其中， n＝1、2，60％≤X_n≤80％。

在一些实施例中，所述坩埚组件还包括：第四坩埚，所述第四坩埚设在所述第一腔室内以将所述第一腔室分隔成第一子腔室和第二子腔室，所述第四坩埚上形成有第三连通孔以连通所述第一子腔室和所述第二子腔室，所述第一子腔室适于构造成原料下料区，所述第二子腔室适于构造成掺杂剂下料区。