[实用新型]堆叠结构及触控感测器有效
申请号: | 202021981063.7 | 申请日: | 2020-09-11 |
公开(公告)号: | CN213028685U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 萧仲钦;练修成;邱逸文;蔡家扬 | 申请(专利权)人: | 天材创新材料科技(厦门)有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/09;G06F3/041 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆;王宁 |
地址: | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 结构 触控感测器 | ||
本实用新型涉及一种堆叠结构,包含:基材;铜层,其设置于该基材之上;防迁移层,其设置于该铜层之上;以及纳米银线层,其设置于该防迁移层之上,其中,该防迁移层由金属所构成,该铜层及该防迁移层位于该基材的边缘之上,以于该堆叠结构中定义该基材未被该铜层及该防迁移层覆盖的可视区域,以及该基材被该铜层及该防迁移层覆盖的周边线路区域。一种触控感测器,其包含如上所述的堆叠结构。
技术领域
本实用新型关于一种堆叠结构,尤指一种包含防迁移层的堆叠结构。本实用新型也关于一种包含上述堆叠结构的触控感测器。
背景技术
包含纳米银线及铜层的堆叠结构可应用于触控感测器中。传统的触控感测器中的堆叠结构的纳米银线直接涂布于铜层之上,造成金属铜与纳米银之间产生伽凡尼效应(Galvanic effect),使纳米银线因还原反应聚集,而产生尺寸变大、线径变粗的现象,进而影响该堆叠结构在蚀刻制程中的合格率及应用该堆叠结构的触控感测器的效能。
实用新型内容
为改善传统的包含纳米银线及铜层的堆叠结构中纳米银线因还原反应聚集,而产生尺寸变大、线径变粗的问题,本实用新型提供一种堆叠结构及一种触控感测器。
为达上述目的及其他目的,本实用新型提供一种堆叠结构,包含:
基材;
铜层,其设置于该基材之上;
防迁移层,其设置于该铜层之上;以及
纳米银线层,其设置于该防迁移层之上,
其中,该防迁移层由在伽凡尼序列(galvanic series)中介于铜和银之间的材料所构成。
上述的堆叠结构,其中,该防迁移层由合金所构成。
上述的堆叠结构,其中,该合金选自由不锈钢、铜镍合金、蒙乃尔合金(Monel)及英高镍合金(Inconel)所组成的群组。
上述的堆叠结构,其中,该防迁移层由金属所构成。
上述的堆叠结构,其中,该金属选自由钛、钼、钨、锡、铅、钽及钝化镍所组成的群组。
上述的堆叠结构,其中,该基材是薄膜基材。
上述的堆叠结构,其中,该铜层、该防迁移层及该纳米银线层被图案化。
为达上述目的及其他目的,本实用新型也提供一种触控感测器,其包含如上述的堆叠结构。
本实用新型的堆叠结构中的防迁移层在蚀刻制程中可延缓一次性蚀刻液蚀刻到下层铜层的速度,避免在进行一次性蚀刻期间铜层因快速蚀刻的情况下造成严重过蚀及纳米银线层蚀刻不净问题,因此可有效提高一次性蚀刻时的制程窗口及合格率。此外,该防迁移层也可减少因纳米银线层涂布在铜层上因还原反应造成纳米银线聚集,使其尺寸变大而产生难以蚀刻的问题。因此,本实用新型的堆叠结构中的防迁移层,也有助于纳米银线层的蚀刻效率的提升,使该堆叠结构适合应用于触控感测器的制程上。
本实用新型的堆叠结构通过防迁移层的设置,可改善传统的堆叠结构中纳米银线因还原反应聚集,而产生尺寸变大、线径变粗的问题,可使应用该堆叠结构的触控感测器具有较佳的效能。
附图说明
图1为本实用新型实施例1的堆叠结构的示意图。
图2为实施例1的堆叠结构的制作流程的示意图。
图3为本实用新型实施例2的触控感测器的示意图
图4为本实用新型实施例3的触控感测器的示意图。
图5为比较例1的堆叠结构的示意图。
附图标记说明:
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