[实用新型]用于晶圆键合的键合盘以及晶圆键合装置有效
申请号: | 202021985222.0 | 申请日: | 2020-09-11 |
公开(公告)号: | CN212659518U | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 司伟;白龙 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 刘锋 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶圆键合 键合盘 以及 装置 | ||
1.一种用于晶圆键合的键合盘,其特征在于,所述用于晶圆键合的键合盘从内侧到外侧依次包括压盘、石墨层、加热盘、冷却盘和隔热层,所述隔热层包括反射屏和基板,所述基板设置在反射屏的外侧,所述基板内设置有冷却介质循环通道。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆键合的键合盘,其特征在于,所述加热盘和压盘通过弹性连接件连接。
3.根据权利要求2所述的用于晶圆键合的键合盘,其特征在于,所述弹性连接件为弹簧卡勾。
4.根据权利要求1-3任一所述的用于晶圆键合的键合盘,其特征在于,所述加热盘包括加热盘基体和设置在所述加热盘基体上的加热元件,所述加热盘基体上中心处的加热元件密度大于边缘处的加热元件密度。
5.根据权利要求4所述的用于晶圆键合的键合盘,其特征在于,所述加热盘基体包括内圆形加热区和外环形加热区,所述外环形加热区的加热元件密度大于内圆形加热区的加热元件密度,所述内圆形加热区的加热元件和外环形加热区的加热元件分别单独控制。
6.根据权利要求4所述的用于晶圆键合的键合盘,其特征在于,所述加热盘和冷却盘为一体结构,所述加热盘基体内设置有冷却介质循环管道,形成冷却盘,所述冷却介质循环管道与提供冷却介质的外部管道连接。
7.根据权利要求6所述的用于晶圆键合的键合盘,其特征在于,所述冷却介质循环管道与外部管道为一体结构的同一个管道,所述冷却介质循环管道通过铸压的方式设置在加热盘基体内。
8.根据权利要求7所述的用于晶圆键合的键合盘,其特征在于,所述反射屏为多层,相邻两层反射屏之间通过圆柱块隔离。
9.根据权利要求8所述的用于晶圆键合的键合盘,其特征在于,所述反射屏的层数为3~5层,所述基板上设置有温度传感器,所述压盘和加热盘的材质为陶瓷或不锈钢,所述石墨层的厚度为2~5mm,所述压盘内表面的平面度为2~4μm。
10.一种晶圆键合装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一所述的用于晶圆键合的键合盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造