[实用新型]相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片

权利要求书

1.一种相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，包括：

N型衬底；

第一P型杂质，设置在所述N型衬底一端，所述第一P型杂质外侧被N型衬底包裹，第一P型杂质一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中；

第二P型杂质，与所述第一P型杂质并列设置在所述N型衬底一端，且与第一P型杂质之间存在间隙，所述第二P型杂质外侧被N型衬底包裹，第二P型杂质一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中；

第一表面结构，设置在所述N型衬底一端，与所述第一P型杂质在同一侧，用于芯片封装焊接；

第三P型杂质，设置在所述N型衬底远离所述第一P型杂质的一端，所述第三P型杂质外侧被N型衬底包裹，第三P型杂质一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中；

第二表面结构，设置在所述N型衬底远离所述第一P型杂质的一端，用于芯片封装焊接；

其中所述第二P型杂质比第一P型杂质的横截面面积大。

2.根据权利要求1所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，所述第一表面结构包括：

第一钝化层，设置在所述N型衬底一端，与所述第一P型杂质在同一侧，所述第一钝化层接触N型衬底、第一P型杂质和第二P型杂质，用于保护第一P型杂质、第二P型杂质和N型衬底所形成的PN结，中部设置有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔靠近第一P型杂质，用于露出第一P型杂质，所述第二通孔靠近第二P型杂质，用于露出第二P型杂质；

第一金属电极，覆盖在所述第一钝化层表面，覆盖在所述第一P型杂质表面，包括第一接电极和第一连接部，所述第一连接部凸出所述第一接电极连接在第一通孔内，第一连接部接触所述第一P型杂质，所述第一金属电极与N型衬底之间通过第一钝化层隔离；

第二金属电极，覆盖在所述第一钝化层表面，覆盖在所述第二P型杂质表面，包括第二接电极和第二连接部，所述第二连接部凸出所述第二接电极连接在第二通孔内，第二连接部接触所述第二P型杂质，所述第二金属电极与N型衬底之间通过第一钝化层隔离。

3.根据权利要求2所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，所述第二表面结构包括：

第二钝化层，呈环状，设置在N型衬底一端，所述第二钝化层接触第三P型杂质和N型衬底，用于保护第三P型杂质和N型衬底形成的PN结；

第三金属电极，覆盖在所述第二钝化层表面，覆盖在所述第三P型杂质表面，包括第二接电极和第二连接部，所述第二连接部凸出所述第二接电极连接在第二钝化层内侧，第二连接部接触所述第二P型杂质，所述第二金属电极与N型衬底之间通过第二钝化层隔离。

4.根据权利要求2所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，所述第一金属电极与所述第二金属电极之间存在间隙。

5.根据权利要求1所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，所述N型衬底厚度为180-360μm。

6.根据权利要求1所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，所述第一P型杂质的厚度为20-60μm，所述第二P型杂质的厚度为20-60μm，所述第三P型杂质的厚度为20-60μm。

7.根据权利要求1所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，所述N型衬底和所述第二P型杂质接触处形成第一PN结，N型衬底和所述第一P型杂质接触处形成第二PN结，N型衬底和所述第三P型杂质接触处形成第三PN结。

8.根据权利要求7所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，所述第一PN结和第二PN结之间有间隙，第一PN结和所述第三PN结之间有间隙，第二PN结和第三PN结之间存在间隙。

9.根据权利要求2所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，所述第二通孔比所述第一通孔的横截面面积大，所述第二接电极比第一接电极的横截面面积大。

10.根据权利要求1所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，所述N型衬底为块状，上下对称，N型衬底一端与所述第一P型杂质、第二P型杂质平齐，另一端与所述第三P型杂质平齐。