[实用新型]电子设备射频状态的识别电路及电子设备有效
申请号: | 202022001032.7 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN213305412U | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 黄雨亭 | 申请(专利权)人: | 上海闻泰电子科技有限公司 |
主分类号: | H04B17/15 | 分类号: | H04B17/15;H04W4/80 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 梁秀秀 |
地址: | 200000 上海市黄浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 射频 状态 识别 电路 | ||
本实用新型提供一种电子设备射频状态的识别电路,包括第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块;第一射频通路包括识别接口端及输出连接端,中间射频模块包括第一连接端及第二连接端,第二射频通路包括输入连接端;输出连接端连接所述第一连接端,第二连接端连接输入连接端;第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块均包括射频测试座。本实用新型还提供一种电子设备。本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路及电子设备,通过一个识别接口端的电压来识别包括多个射频通路的电子设备的射频状态,避免了平台芯片的识别接口不够用的情况,硬件连接及软件处理均比较简单。
【技术领域】
本实用新型涉及电子设备技术领域,尤其涉及一种电子设备射频状态的识别电路及电子设备。
【背景技术】
目前,电子设备(例如手机)在上市前需要进行各种认证,对于射频,其包括射频传导状态的最大发射功率标准要求,同时,电子设备产品由于空间局限,天线的效率相对较差,需要提升射频辐射状态的辐射功率,因此,需要对电子设备处于射频传导状态还是射频辐射状态进行识别。
现有的识别电路如图1所示,第一射频通路包括上拉电阻R11、下拉电阻R12、第一测试座J11、第一电感L11、第一电容C11、第二电容C12及第一天线T11,具体的,上拉电阻R11的阻值远大于下拉电阻R12的阻值,上拉电阻R11的第一端连接主板电源,以提供上拉电压,上拉电阻R11的第二端连接下拉电阻R12的第一端,下拉电阻R12的第二端连接第一测试座J11的第二端,上拉电阻R11的第二端还连接主板的第一识别接口GPIO1;第一天线T11通过第一电容C11连接第一测试座J11的第二端,第一测试座J11的第一端通过第一电感L11接地,第一测试座J11的第一端还通过第二电容C12接入第一射频信号。
可以理解,当第一测试座J11未接入测试头时,第一测试座J11的第一端和第二端导通,第一识别接口GPIO1的电压为低电平,则识别电子设备处于射频辐射状态;当第一测试座J11接入测试头时,第一测试座J11的第一端和第二端断开,第一识别接口GPIO1的电压为高电平,则识别电子设备处于射频传导状态。
图1所示的识别电路还包括第二射频通路及第三射频通路,第二射频通路及第三射频通路的识别原理与第一射频通路相同,也即,现有技术中,若电子设备内包括三个射频通路,则需要连接三个识别接口来识别电子设备的射频状态(即每个射频通路需要对应连接一个识别接口)。
然而,目前的5G技术中,射频通路较多,在进行射频状态识别时,则需要对应连接更多的识别接口。因此,现有的识别电路会存在平台芯片的识别接口不够用的情况,硬件连接及软件处理均比较复杂。
鉴于此,实有必要提供一种新型的电子设备射频状态的识别电路及电子设备以克服上述缺陷。
【实用新型内容】
本实用新型的目的是提供一种电子设备射频状态的识别电路及电子设备,实现了通过一个识别接口端的电压来识别包括多个射频通路的电子设备的射频状态,避免了平台芯片的识别接口不够用的情况,硬件连接及软件处理均比较简单。
为了实现上述目的,第一方面,本实用新型提供一种电子设备射频状态的识别电路,包括包括第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块;所述第一射频通路包括识别接口端及输出连接端,所述中间射频模块包括第一连接端及第二连接端,所述第二射频通路包括输入连接端;所述输出连接端连接所述第一连接端,所述第二连接端连接所述输入连接端;所述第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块均包括射频测试座;当任意一个所述射频测试座接入测试头时,所述识别接口端的电压为高电平,则识别所述电子设备处于射频传导状态;当所有射频测试座均未接入所述测试头时,所述识别接口端的电压为低电平,则识别所述电子设备处于射频辐射状态。
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