[实用新型]一种新型一体式斜槽硅舟

说明书

本实用新型为了克服现有技术中直立槽型载体无法满足化学沉积工艺中硅片稳定性要求的技术问题，提供一种新型一体式斜槽硅舟，包括硅舟基体和设在硅舟基体上的沟齿槽，硅舟基体包括底板和与底板相连的侧板，侧板远离底板的一端设有限位件，侧板靠近底板的一端设有支撑件，限位件和支撑件均位于侧板内侧，侧板包括对称布置在底板两侧的第一侧板和第二侧板，沟齿槽包括限位沟齿槽和支撑沟齿槽，若干个限位沟齿槽沿限位件的长度方向间隔布置，若干个支撑沟齿槽沿支撑件的长度方向间隔布置，朝同一方向倾斜的限位沟齿槽和支撑沟齿槽配合形成支撑槽。本申请所述硅舟在气体流速变动时仍然可保证硅片的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种新型一体式斜槽硅舟。

背景技术

硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，集成电路级半导体硅片一般通过拉晶、切片、倒角、磨片、腐蚀、背封、抛光、清洗等工艺做成。半导体的化学气相沉积工艺作为一种主要的成膜技术，其中以硅片作为基底，把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入反应室，使反应物质在气态条件下发生化学反应，使反应产物在硅片表面沉积形成薄膜。现在作为化学气相沉积工艺中硅片的载体主要是由石英或者碳化硅制成。在硅片化学气相沉积工艺过程中温度常常会超过1000℃，甚至达到1250℃，在如此高的温度下如果采用石英舟作为承载硅片的载体，长时间使用就会出现变形软化，而且石英舟与硅片的材质不同，热胀冷缩系数不一致，在升温和降温时会出现冷点，导致晶格塌失，形成晶粒错位，以上因素都会影响到硅片质量。而对于碳化硅舟来说，随着硅片尺寸的增大，集成电路的精细度越来越高，生产工艺的要求也越来越苛刻，在高温处理过程中，会发生氧化反应，影响到硅片的质量。

申请号为CN201822193700.3的中国专利公开了一种一体式硅舟，具备结构简单，支撑稳定，不易变形等优点；其问题在于，化学沉积工艺中需要通入气体反应物在基底上稳定反应，通入气体的流速作为一个重要的管控参数，会对硅片表面沉积质量产生重要的影响。而气体流速的快慢会影响到反应炉中硅片的稳定性，流速的变动会导致硅片产生晃动，从而影响硅片表面沉积质量。随着半导体科技的发展，上述专利中直立槽型的载体已经无法满足更高规格的生产要求，因此需要开发更好的载体来解决这些问题。

发明内容

本实用新型为了克服现有技术中直立槽型载体无法满足化学沉积工艺中硅片稳定性要求的技术问题，提供一种新型一体式斜槽硅舟，所述硅舟在气体流速变动时仍然可保证硅片的稳定性。

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案。

一种新型一体式斜槽硅舟，包括硅舟基体和设在硅舟基体上的沟齿槽，硅舟基体包括底板和与底板相连的侧板，侧板远离底板的一端设有限位件，侧板靠近底板的一端设有支撑件，限位件和支撑件均位于侧板内侧，侧板包括对称布置在底板两侧的第一侧板和第二侧板，沟齿槽包括限位沟齿槽和支撑沟齿槽，若干个限位沟齿槽沿限位件的长度方向间隔布置，若干个支撑沟齿槽沿支撑件的长度方向间隔布置，朝同一方向倾斜的限位沟齿槽和支撑沟齿槽配合形成支撑槽。在化学沉积工艺中需要通入气体反应物在基底上稳定反应，传统的直槽型硅舟上承载的硅片在气体流速变动时容易发生晃动，硅片的稳定性较差，进而导致硅片表面的沉积质量较差。本申请提供一种一体式斜槽硅舟，硅舟上若干个沟齿槽朝同一方向倾斜，限位沟齿槽和支撑沟齿槽配合形成承载硅片的支撑槽，支撑槽同样倾斜布置，硅片在支撑槽的导向作用下倾斜插入，气流施加在硅片上的作用力被分解，驱动硅片晃动的分力减弱，硅片的稳定性大幅提升，硅片表面的沉积质量同步提升；进一步的，本申请中第一侧板和第二侧板对称布置在底板两侧，即硅舟为对称结构，侧板上的支撑件起到稳定支撑硅片的作用，侧板上的限位件起到固定保护硅片的作用。