[实用新型]一种沟齿边缘倒角的硅舟

说明书

本实用新型为了克服现有技术中高温环境下，与沟齿边缘接触的硅片易产生划伤现象的技术问题，提供一种沟齿边缘倒角的硅舟，包括天板、法兰和沟棒，沟棒设置在天板和法兰之间，沟棒一端与天板相连，沟棒的另一端与法兰相连，沟棒包括本体和沟齿，沟齿的数目为若干个且沿本体的长度方向间隔排布，沟齿靠近天板的端面上设有接触凸台，接触凸台靠近沟齿远离本体的一端，所述接触凸台的外缘设有倒角。本申请所述硅舟结构可减小硅片与沟齿的接触面积，降低硅片接触错位和背面划伤等问题的发生概率，同时可避免沟齿边缘位置划伤硅片。

技术领域

本实用新型涉及半导体元件制作工具技术领域，特别是涉及一种沟齿边缘倒角的硅舟。

背景技术

硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过拉晶、切片、倒角、磨片、腐蚀、背封、抛光、清洗等工艺过程做成的集成电路级半导体硅片。硅片热处理是半导体器件或电路加工过程中一个重要的工序，热处理包含CVD、氧化、扩散、退火等众多工艺，占据了集成电路制程工艺的大部分。而这时候就需要一种装载半导体硅片的载体，将半导体硅片放在载体上，再放入热处理炉进行处理，这种载体在业内被称作硅片舟。现在市面上普遍用于承载硅片的舟是采用高纯度的石英或碳化硅制作。但石英舟作为硅片的载体时，在超过1000℃的处理温度下，长时间使用可能就会变形软化，导致搁置其中的硅片工艺异常，而且石英舟与硅片的材质不同，热胀冷缩系数明显不一致，在升温和降温时会出现冷点，导致晶格的塌失，形成晶粒错位，从而影响硅片质量。而对于碳化硅舟来说，随着硅片尺寸的增大，集成电路的精细度越来越高，生产工艺的要求也越来越苛刻，在高温处理过程中，可能会发生氧化反应，可能会影响到硅片的质量。因此，随着半导体科技的发展，石英舟或碳化硅舟已经逐渐无法适应高标准硅片的生产需要。取而代之的是高纯度硅质舟，其在高温下具有良好的稳定性，拥有与硅片相同的材质可以降低升降温时应力差带来的晶格缺陷。虽然有了与硅片相同的材质，但是普通硅舟依然不能避免类似石英舟和碳化硅舟相同的问题，那就是高温环境下，变形后的硅片与沟齿边缘接触产生的划伤问题。

公开号为CN209418473U，公告日为2019年09月20日的中国专利公开了“一种沟齿带凸台的硅舟”，所述专利减少了硅片与沟齿的接触面积，但是沟齿边缘划伤硅片的问题仍然存在。

发明内容

本实用新型为了克服现有技术中高温环境下，与沟齿边缘接触的硅片易产生划伤现象的技术问题，提供一种沟齿边缘倒角的硅舟，所述结构可减小硅片与沟齿的接触面积，降低硅片接触错位和背面划伤等问题的发生概率，同时可避免沟齿边缘位置划伤硅片。

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案。

一种沟齿边缘倒角的硅舟，包括天板、法兰和沟棒，沟棒设置在天板和法兰之间，沟棒一端与天板相连，沟棒的另一端与法兰相连，沟棒包括本体和沟齿，沟齿的数目为若干个且沿本体的长度方向间隔排布，沟齿靠近天板的端面上设有接触凸台，接触凸台靠近沟齿远离本体的一端，所述接触凸台的外缘设有倒角。沟齿相当于硅片的承载平台，现有技术中通常将硅片直接放置在这一平台上，但是这种承载方式下硅片与沟齿的接触面积较大，硅片接触错位和背面划伤等问题的发生概率较大，为解决这一问题，本申请在沟齿承载硅片的端面上布置了接触凸台，接触凸台将硅片抬升，硅片放置在接触凸台上，由于接触凸台的面积较小，故而相较现有技术，本申请大幅降低了硅片与沟齿的接触面积，从而可降低硅片接触错位和背面划伤等问题的发概率；进一步的，本申请在接触凸台的外缘处布设了倒角，将接触凸台边缘处原本的锐型结构钝化，硅片在插取时平滑过渡，从而可避免沟齿边缘位置划伤硅片。

作为优选，沟齿沿本体长度方向的投影形状为类等腰梯形，沟齿沿其长度方向包括大端和小端，大端与本体相连。大端与本体相连，其目的是将沟齿对硅片支撑的稳定性维持在较高水平，沟齿的投影呈类等腰梯形状，即接触凸台所在位置的沟齿在水平面上的投影面积较小，硅片与沟齿的接触面积同步下降。