[实用新型]铜排组件及电机控制器

说明书

本实用新型提供了一种铜排组件及电机控制器，所述铜排组件包括绝缘主体，在所述绝缘主体内包覆有导电铜排，所述导电铜排与铜排引脚相接，所述铜排引脚伸出于所述绝缘主体的表面，还包括贯穿所述绝缘主体的导引孔，所述导引孔包括位于所述绝缘主体的上表面的第一开口、位于所述绝缘主体的下表面的第二开口以及位于所述第一开口和第二开口之间的孔壁，待插接引脚插入所述导引孔的第二开口，并沿着所述孔壁从所述第一开口伸出，使所述待插接引脚与所述铜排引脚之间保持相对固定的位置。本实用新型实施例可同时把多个待插接引脚同时导入到印制电路板的焊孔内，大大提高印制电路板的装配效率。

技术领域

本实用新型实施例涉及电力电子技术领域，更具体地说，涉及一种铜排组件及电机控制器。

背景技术

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等)，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，而且开关速度非常快，切换速度可达100GHz以上。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR(Giant Transistor，电力晶体管)的低导通压降两方面的优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

在分布式IGBT电控系统(例如电机控制器)中，为保证IGBT正常工作，需将IGBT工作时产生的热量快速散去。目前，为实现IGBT的散热，通常将各个IGBT单管(或者IGBT模块)安装到散热器上，同时，为实现对IGBT单管的通断控制，需要将各个IGBT的控制信号引脚插入到电路板上，并与电路板通过焊接方式连接。

如图1所示，现有的分布式IGBT电控系统在IGBT单管装配时，先将IGBT单管固定到散热器(该散热器安装在箱体内)，然后将叠层母排13的引脚与IGBT单管的引脚121一起插接到电路板，并与电路板11焊接固定。由于IGBT单管的数量较多，其引脚121的数量也较多，并且各个IGBT单管的引脚121位置偏差较大，导致在将IGBT单管的引脚121插入到电路板11的各个焊孔时非常困难，往往需要调配较长时间，不仅费时费力，而且无法实现批量装配。

实用新型内容

本实用新型实施例针对上述分布式IGBT电控系统中，因IGBT单管及叠层铜排的引脚数量较多且位置偏差较大，而导致电路板装配费时费力、无法实现批量装配的问题，提供一种铜排组件及电机控制器。

本实用新型实施例解决上述技术问题的技术方案是，提供一种铜排组件，包括绝缘主体，在所述绝缘主体内包覆有导电铜排，所述导电铜排与铜排引脚相接，所述铜排引脚伸出于所述绝缘主体的表面，还包括贯穿所述绝缘主体的导引孔，所述导引孔包括位于所述绝缘主体的上表面的第一开口、位于所述绝缘主体的下表面的第二开口以及位于所述第一开口和第二开口之间的孔壁，待插接引脚插入所述导引孔的第二开口，并沿着所述孔壁从所述第一开口伸出，使所述待插接引脚与所述铜排引脚之间保持相对固定的位置。

优选地，所述孔壁的横截面至少存在一部分：从相对远离所述第二开口的一侧至接近所述第一开口的一侧逐渐收窄。

优选地，所述第一开口和/或第二开口的形状与所述待插接引脚的形状相适应，所述孔壁为斜面或者锥面或者球面。

优选地，所述导引孔与所述铜排引脚相邻设置。

优选地，所述铜排引脚设置于所述导引孔内，并与所述待插接引脚平行或者接触。